
【电】 film resistor
【计】 thin-film resistor
body; style; substance; system
【计】 body
【医】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-
薄膜电阻体(Thin Film Resistor)指通过真空蒸发、溅射或化学沉积等工艺,在绝缘基板(如陶瓷、玻璃)表面沉积一层厚度通常小于 1 微米的导电薄膜(材料包括镍铬合金、氮化钽等)制成的电阻器件。其核心特征包括:
薄膜电阻的阻值由导电薄膜的几何形状(长宽比)和材料电阻率决定,制造时通过光刻工艺刻蚀特定图案以精确控制阻值。相较于厚膜电阻,其优势在于:
权威参考来源:
薄膜电阻体是电子元件中的一种电阻结构,其核心特征在于通过特殊工艺在绝缘基板上形成极薄的导电膜层。以下是综合多个来源的详细解释:
薄膜电阻体指通过真空蒸发、磁控溅射等工艺(),将金属(如镍、铬)或金属氧化物(如氧化锡)等材料以纳米级厚度(通常10-100nm)沉积在陶瓷等绝缘基板上形成的电阻结构。其电阻值通过调整薄膜的宽度、长度或切割螺旋槽实现()。
对比项 | 薄膜电阻体 | 厚膜电阻 |
---|---|---|
膜厚 | 10nm-1μm(通常<1μm) | >2μm(丝网印刷工艺) |
工艺 | 溅射/蒸发 | 丝网印刷 |
应用场景 | 高精度仪器、滤波电路 | 普通功率电路 |
由于薄膜厚度极小且电阻率(ρ)随厚度变化,实际应用中常将“膜电阻”视为与材料相关的常数,计算公式为:
$$
R_s = frac{rho}{d} quad (text{单位:Ω/□})
$$
其中,( R_s )为方阻,( d )为膜厚()。
如需进一步了解制造工艺或具体型号参数,可参考、7、9等来源。
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