保護動态存儲器英文解釋翻譯、保護動态存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 protected dynamic storage

分詞翻譯：

保護的英語翻譯：

protect; safeguard; ensure; patronize; preserve; shelter; shield; preservation
protection
【計】 protection
【化】 covering
【醫】 conservancy; protection
【經】 custody; safeguard

動态存儲器的英語翻譯：

【計】 dynamic memory

專業解析

在電子工程領域，"保護動态存儲器"（Protection of Dynamic Memory）指防止動态隨機存取存儲器（DRAM）因電荷洩漏導緻數據丢失的技術措施。其核心原理是通過周期性刷新（Refresh）維持存儲單元的電容器電荷狀态，具體分析如下：

一、術語解析與工作原理

漢英對照定義
- 保護 (Protection)：指通過電路設計維持DRAM存儲單元的電荷完整性
- 動态存儲器 (Dynamic Memory)：特指DRAM（Dynamic Random Access Memory），其存儲單元依賴電容電荷存儲數據
- 刷新機制 (Refresh Mechanism)：每64ms需對存儲陣列執行一次全行讀取/重寫操作
失效機制
DRAM電容電荷會因漏電流自然衰減（通常15-100ns），未及時刷新會導緻"1"變為"0"造成數據錯誤。溫度每升高10℃，漏電流增加一倍

二、關鍵技術措施

刷新控制器 (Refresh Controller)
集成于内存控制器中，通過生成行地址選通（RAS）信號觸發刷新周期。現代DDR4内存标準要求每2Gbit顆粒每秒執行8192次刷新操作
溫度補償刷新 (Temperature Compensated Refresh)
根據傳感器數據動态調整刷新頻率：
- 85℃時刷新頻率比25℃提高4倍
- JEDEC标準JESD209-4規定溫度分段控制算法
錯誤校驗 (Error Correction)
服務器級DRAM采用ECC（Error Correcting Code）技術，可修正單比特錯誤并檢測雙比特錯誤，糾錯公式為：

$$ begin{aligned} s &= d oplus p

c &= text{parity}(d[0:n]) end{aligned} $$ 其中d為數據位，p為校驗位

三、應用場景

移動設備：采用自刷新（Self-Refresh）模式，待機時僅維持0.5-1.5mA電流
數據中心：通過RAS（Reliability, Availability, Serviceability）特性實現内存故障預測
航天電子：采用抗輻射DRAM，刷新周期冗餘設計提升容錯能力

權威參考來源：

《VLSI設計基礎》（高等教育出版社）第8章存儲器設計

IEEE Transactions on Circuits and Systems論文"Dynamic Memory Refresh Schemes"

JEDEC标準文檔JESD79-4D（DDR4 SDRAM規範）

Micron技術白皮書《DRAM Refresh Considerations》

網絡擴展解釋

“保護動态存儲器”這一表述可以從以下兩個角度進行解釋，結合技術原理和應用場景綜合分析：

一、技術原理層面的保護

數據維持機制
動态存儲器（DRAM）通過電容器存儲電荷表示數據，但電荷會自然洩漏，需通過定時刷新（Refresh）維持數據。例如，每隔64ms對存儲單元進行電荷補充，避免數據丢失。
若刷新機制失效（如電路故障），數據會丢失，因此“保護”需确保刷新電路的正常運行。
電源穩定性保障
DRAM屬于易失性存儲器，斷電後數據立即丢失。保護措施包括：
- 使用備用電源（如UPS）防止意外斷電；
- 在嵌入式系統中，将關鍵數據提前轉存至非易失性存儲器（如Flash）。

二、系統應用層面的保護

内存資源分配管理
動态存儲器在移動設備等場景中常被多個應用共享。保護策略包括：
- 操作系統通過内存隔離與權限控制，防止程式越界訪問；
- 動态分配/釋放機制避免單一應用占用全部内存資源。
抗幹擾與糾錯設計
- 加入ECC（糾錯碼）模塊，檢測并修複存儲單元的數據錯誤；
- 物理封裝優化，減少電磁幹擾對電容電荷的影響。

“保護動态存儲器”的核心目标是通過硬件設計（如刷新電路、電源備份）、軟件管理（如内存隔離、資源分配）和糾錯機制，确保DRAM中數據的完整性、可用性與安全性。