保护动态存储器英文解释翻译、保护动态存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 protected dynamic storage

分词翻译：

保护的英语翻译：

protect; safeguard; ensure; patronize; preserve; shelter; shield; preservation
protection
【计】 protection
【化】 covering
【医】 conservancy; protection
【经】 custody; safeguard

动态存储器的英语翻译：

【计】 dynamic memory

专业解析

在电子工程领域，"保护动态存储器"（Protection of Dynamic Memory）指防止动态随机存取存储器（DRAM）因电荷泄漏导致数据丢失的技术措施。其核心原理是通过周期性刷新（Refresh）维持存储单元的电容器电荷状态，具体分析如下：

一、术语解析与工作原理

汉英对照定义
- 保护 (Protection)：指通过电路设计维持DRAM存储单元的电荷完整性
- 动态存储器 (Dynamic Memory)：特指DRAM（Dynamic Random Access Memory），其存储单元依赖电容电荷存储数据
- 刷新机制 (Refresh Mechanism)：每64ms需对存储阵列执行一次全行读取/重写操作
失效机制
DRAM电容电荷会因漏电流自然衰减（通常15-100ns），未及时刷新会导致"1"变为"0"造成数据错误。温度每升高10℃，漏电流增加一倍

二、关键技术措施

刷新控制器 (Refresh Controller)
集成于内存控制器中，通过生成行地址选通（RAS）信号触发刷新周期。现代DDR4内存标准要求每2Gbit颗粒每秒执行8192次刷新操作
温度补偿刷新 (Temperature Compensated Refresh)
根据传感器数据动态调整刷新频率：
- 85℃时刷新频率比25℃提高4倍
- JEDEC标准JESD209-4规定温度分段控制算法
错误校验 (Error Correction)
服务器级DRAM采用ECC（Error Correcting Code）技术，可修正单比特错误并检测双比特错误，纠错公式为：

$$ begin{aligned} s &= d oplus p

c &= text{parity}(d[0:n]) end{aligned} $$ 其中d为数据位，p为校验位

三、应用场景

移动设备：采用自刷新（Self-Refresh）模式，待机时仅维持0.5-1.5mA电流
数据中心：通过RAS（Reliability, Availability, Serviceability）特性实现内存故障预测
航天电子：采用抗辐射DRAM，刷新周期冗余设计提升容错能力

权威参考来源：

《VLSI设计基础》（高等教育出版社）第8章存储器设计

IEEE Transactions on Circuits and Systems论文"Dynamic Memory Refresh Schemes"

JEDEC标准文档JESD79-4D（DDR4 SDRAM规范）

Micron技术白皮书《DRAM Refresh Considerations》

网络扩展解释

“保护动态存储器”这一表述可以从以下两个角度进行解释，结合技术原理和应用场景综合分析：

一、技术原理层面的保护

数据维持机制
动态存储器（DRAM）通过电容器存储电荷表示数据，但电荷会自然泄漏，需通过定时刷新（Refresh）维持数据。例如，每隔64ms对存储单元进行电荷补充，避免数据丢失。
若刷新机制失效（如电路故障），数据会丢失，因此“保护”需确保刷新电路的正常运行。
电源稳定性保障
DRAM属于易失性存储器，断电后数据立即丢失。保护措施包括：
- 使用备用电源（如UPS）防止意外断电；
- 在嵌入式系统中，将关键数据提前转存至非易失性存储器（如Flash）。

二、系统应用层面的保护

内存资源分配管理
动态存储器在移动设备等场景中常被多个应用共享。保护策略包括：
- 操作系统通过内存隔离与权限控制，防止程序越界访问；
- 动态分配/释放机制避免单一应用占用全部内存资源。
抗干扰与纠错设计
- 加入ECC（纠错码）模块，检测并修复存储单元的数据错误；
- 物理封装优化，减少电磁干扰对电容电荷的影响。

“保护动态存储器”的核心目标是通过硬件设计（如刷新电路、电源备份）、软件管理（如内存隔离、资源分配）和纠错机制，确保DRAM中数据的完整性、可用性与安全性。