非晶質半導體英文解釋翻譯、非晶質半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 amorphous semiconductor

分詞翻譯：

非的英語翻譯：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【計】 negate; NOT; not that
【醫】 non-

晶質的英語翻譯：

crystalloid

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

非晶質半導體 (Amorphous Semiconductor) 是一種具有半導體特性，但其原子或分子排列缺乏長程周期性有序結構的固體材料。與常見的晶體半導體（如矽、鍺的單晶）不同，其内部結構是無序的或短程有序的。

核心含義解析 (漢英對照)

非晶質 (Amorphous / Non-crystalline):
- 指材料内部原子或分子的排列不具有規則、重複的三維空間點陣結構。其結構是無序的，原子間的鍵長和鍵角在一定範圍内隨機變化，沒有長程的周期性。
- 英文對應：Amorphous (最常見的術語)，或Non-crystalline (強調非晶體特性)。
半導體 (Semiconductor):
- 指材料的電導率介于導體和絕緣體之間，并且其導電性可以通過摻雜（引入雜質原子）或外部條件（如光照、溫度、電場）進行顯著調控的物質。其核心特性是存在可調控的能隙。
- 英文對應：Semiconductor。

關鍵特性與意義

結構無序性 (Structural Disorder): 這是非晶質半導體最根本的特征。這種無序性導緻其電子能帶結構與晶體半導體有顯著差異，例如存在大量的帶尾态和缺陷态。
電子特性 (Electronic Properties): 其導電機制通常涉及局域态電子的跳躍傳導或通過帶尾态的傳導，而非晶體半導體中清晰的能帶邊界的電子/空穴傳導。這使得其載流子遷移率通常低于相應的晶體材料。
可調控性 (Tunability): 與晶體半導體一樣，非晶質半導體的電學、光學性質（如電導率、光吸收系數、禁帶寬度）可以通過成分調整（如改變合金比例）、摻雜以及制備工藝（如沉積溫度、氣壓）進行調控。
制備優勢 (Fabrication Advantages): 非晶質半導體（尤其是非晶矽 a-Si:H）通常可以在較低溫度下通過氣相沉積（如等離子體增強化學氣相沉積 PECVD）大面積、低成本地制備在柔性襯底（如玻璃、塑料、金屬箔）上。這在大面積電子器件應用中具有顯著的成本和工藝優勢。

主要應用領域

薄膜太陽能電池 (Thin-Film Solar Cells): 非晶矽 (a-Si:H) 是最早商業化的薄膜光伏材料之一，尤其適用于消費電子産品和小型光伏應用。其合金材料（如微晶矽 μc-Si:H、非晶矽鍺 a-SiGe:H）也用于疊層電池以提高效率。
平闆顯示 (Flat Panel Displays):
- 薄膜晶體管 (Thin-Film Transistors - TFTs): 非晶矽 (a-Si:H) TFT 是液晶顯示器 (LCD) 和有源矩陣有機發光二極管 (AMOLED) 顯示器中像素開關的主流技術。
- 圖像傳感器 (Image Sensors): 用于掃描儀、數碼相機等。
薄膜傳感器 (Thin-Film Sensors): 如光敏傳感器、X射線傳感器等，利用其對光或其他輻射的敏感性。
相變存儲器 (Phase-Change Memory - PCM): 利用硫系非晶半導體（如 Ge₂Sb₂Te₅）在非晶态（高阻）和晶态（低阻）之間快速可逆相變的特性來存儲信息。

權威定義參考

根據國際純粹與應用化學聯合會 (IUPAC) 對材料的分類，非晶态固體 (Amorphous Solid) 被定義為“一種缺乏晶體所具有的長程原子位置有序性的固體”。當這類材料表現出半導體特性（即其電導率介于典型金屬和絕緣體之間，且對溫度、光照、電場或摻雜敏感）時，即可稱為非晶質半導體。

來源參考：

International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC) Compendium of Chemical Terminology (Gold Book) - Definitions related to solids and materials science.
Street, R. A. (1991). Hydrogenated Amorphous Silicon. Cambridge University Press. (經典學術專著，闡述非晶矽物理基礎)
Schropp, R. E. I., & Zeman, M. (1998). Amorphous and Microcrystalline Silicon Solar Cells: Modeling, Materials and Device Technology. Springer. (權威著作，涵蓋材料制備與器件應用)
Fortunato, E., Barquinha, P., & Martins, R. (2012). Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances. Advanced Materials, 24(22), 2945–2986. (綜述文章，包含非晶氧化物半導體進展)
Wuttig, M., & Yamada, N. (2007). Phase-change materials for rewriteable data storage. Nature Materials, 6(11), 824–832. (權威綜述，介紹相變存儲中的非晶半導體材料)

網絡擴展解釋

非晶質半導體（又稱無定形半導體或玻璃半導體）是一類具有半導體性質的非晶态材料，其原子排列呈現短程有序、長程無序的特征。以下是其核心要點：

1.結構特點

長程無序：原子或分子在三維空間中沒有周期性排列，缺乏晶體材料的規則晶格結構。
短程有序：局部範圍内（如相鄰原子間）仍保持一定的鍵合方式，例如非晶矽中每個矽原子與周圍四個原子通過共價鍵連接，但鍵長和鍵角存在畸變。

2.主要分類

四面體鍵非晶半導體：如非晶矽（a-Si）、鍺（a-Ge）及其合金，廣泛用于太陽能電池、薄膜晶體管等領域。
硫系玻璃：如As₂S₃、As₂Se₃等，具有鍊狀或交聯網絡結構，常用于光存儲和傳感器。

3.特性與優勢

光學性質：高折射率、強光吸收能力，適用于光電轉換器件。
機械性能：硬度高、耐腐蝕性強，且易于加工成薄膜或複雜形狀。
電學特性：電阻率與溫度呈正相關，且在較寬溫度範圍内保持線性關系，區别于晶态半導體的指數型變化。

4.與晶态半導體的區别

晶态半導體（如單晶矽）具有嚴格周期性結構，而非晶質半導體的無序結構導緻其電子态局域化，載流子遷移率較低，但可通過摻雜調控性能。

如需進一步了解制備方法或具體應用，可參考相關研究文獻或專業資料。