非晶质半导体英文解释翻译、非晶质半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 amorphous semiconductor

分词翻译：

非的英语翻译：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

晶质的英语翻译：

crystalloid

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

非晶质半导体 (Amorphous Semiconductor) 是一种具有半导体特性，但其原子或分子排列缺乏长程周期性有序结构的固体材料。与常见的晶体半导体（如硅、锗的单晶）不同，其内部结构是无序的或短程有序的。

核心含义解析 (汉英对照)

非晶质 (Amorphous / Non-crystalline):
- 指材料内部原子或分子的排列不具有规则、重复的三维空间点阵结构。其结构是无序的，原子间的键长和键角在一定范围内随机变化，没有长程的周期性。
- 英文对应：Amorphous (最常见的术语)，或Non-crystalline (强调非晶体特性)。
半导体 (Semiconductor):
- 指材料的电导率介于导体和绝缘体之间，并且其导电性可以通过掺杂（引入杂质原子）或外部条件（如光照、温度、电场）进行显著调控的物质。其核心特性是存在可调控的能隙。
- 英文对应：Semiconductor。

关键特性与意义

结构无序性 (Structural Disorder): 这是非晶质半导体最根本的特征。这种无序性导致其电子能带结构与晶体半导体有显著差异，例如存在大量的带尾态和缺陷态。
电子特性 (Electronic Properties): 其导电机制通常涉及局域态电子的跳跃传导或通过带尾态的传导，而非晶体半导体中清晰的能带边界的电子/空穴传导。这使得其载流子迁移率通常低于相应的晶体材料。
可调控性 (Tunability): 与晶体半导体一样，非晶质半导体的电学、光学性质（如电导率、光吸收系数、禁带宽度）可以通过成分调整（如改变合金比例）、掺杂以及制备工艺（如沉积温度、气压）进行调控。
制备优势 (Fabrication Advantages): 非晶质半导体（尤其是非晶硅 a-Si:H）通常可以在较低温度下通过气相沉积（如等离子体增强化学气相沉积 PECVD）大面积、低成本地制备在柔性衬底（如玻璃、塑料、金属箔）上。这在大面积电子器件应用中具有显著的成本和工艺优势。

主要应用领域

薄膜太阳能电池 (Thin-Film Solar Cells): 非晶硅 (a-Si:H) 是最早商业化的薄膜光伏材料之一，尤其适用于消费电子产品和小型光伏应用。其合金材料（如微晶硅 μc-Si:H、非晶硅锗 a-SiGe:H）也用于叠层电池以提高效率。
平板显示 (Flat Panel Displays):
- 薄膜晶体管 (Thin-Film Transistors - TFTs): 非晶硅 (a-Si:H) TFT 是液晶显示器 (LCD) 和有源矩阵有机发光二极管 (AMOLED) 显示器中像素开关的主流技术。
- 图像传感器 (Image Sensors): 用于扫描仪、数码相机等。
薄膜传感器 (Thin-Film Sensors): 如光敏传感器、X射线传感器等，利用其对光或其他辐射的敏感性。
相变存储器 (Phase-Change Memory - PCM): 利用硫系非晶半导体（如 Ge₂Sb₂Te₅）在非晶态（高阻）和晶态（低阻）之间快速可逆相变的特性来存储信息。

权威定义参考

根据国际纯粹与应用化学联合会 (IUPAC) 对材料的分类，非晶态固体 (Amorphous Solid) 被定义为“一种缺乏晶体所具有的长程原子位置有序性的固体”。当这类材料表现出半导体特性（即其电导率介于典型金属和绝缘体之间，且对温度、光照、电场或掺杂敏感）时，即可称为非晶质半导体。

来源参考：

International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC) Compendium of Chemical Terminology (Gold Book) - Definitions related to solids and materials science.
Street, R. A. (1991). Hydrogenated Amorphous Silicon. Cambridge University Press. (经典学术专著，阐述非晶硅物理基础)
Schropp, R. E. I., & Zeman, M. (1998). Amorphous and Microcrystalline Silicon Solar Cells: Modeling, Materials and Device Technology. Springer. (权威著作，涵盖材料制备与器件应用)
Fortunato, E., Barquinha, P., & Martins, R. (2012). Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: A Review of Recent Advances. Advanced Materials, 24(22), 2945–2986. (综述文章，包含非晶氧化物半导体进展)
Wuttig, M., & Yamada, N. (2007). Phase-change materials for rewriteable data storage. Nature Materials, 6(11), 824–832. (权威综述，介绍相变存储中的非晶半导体材料)

网络扩展解释

非晶质半导体（又称无定形半导体或玻璃半导体）是一类具有半导体性质的非晶态材料，其原子排列呈现短程有序、长程无序的特征。以下是其核心要点：

1.结构特点

长程无序：原子或分子在三维空间中没有周期性排列，缺乏晶体材料的规则晶格结构。
短程有序：局部范围内（如相邻原子间）仍保持一定的键合方式，例如非晶硅中每个硅原子与周围四个原子通过共价键连接，但键长和键角存在畸变。

2.主要分类

四面体键非晶半导体：如非晶硅（a-Si）、锗（a-Ge）及其合金，广泛用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。
硫系玻璃：如As₂S₃、As₂Se₃等，具有链状或交联网络结构，常用于光存储和传感器。

3.特性与优势

光学性质：高折射率、强光吸收能力，适用于光电转换器件。
机械性能：硬度高、耐腐蚀性强，且易于加工成薄膜或复杂形状。
电学特性：电阻率与温度呈正相关，且在较宽温度范围内保持线性关系，区别于晶态半导体的指数型变化。

4.与晶态半导体的区别

晶态半导体（如单晶硅）具有严格周期性结构，而非晶质半导体的无序结构导致其电子态局域化，载流子迁移率较低，但可通过掺杂调控性能。