反向特性英文解釋翻譯、反向特性的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reverse characteristic

分詞翻譯：

反向的英語翻譯：

reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion

特的英語翻譯：

especially; special; spy; unusual; very
【化】 tex

專業解析

反向特性（Reverse Characteristics）的漢英詞典釋義

反向特性指電子元件（如二極管、晶體管）在反向偏置電壓作用下的電學行為表現，核心包括反向電流、擊穿電壓等參數。該術語在半導體物理與電路設計中具有明确技術定義，以下從三個維度解析：

一、基礎定義與物理機制

當元件施加反向電壓（陽極接負、陰極接正）時，多數載流子被阻擋，形成極小的反向飽和電流（Reverse Saturation Current, (I_S)）。理想狀态下反向電阻無窮大，但實際存在微小漏電流，其值由半導體材料禁帶寬度與溫度決定。

數學表征：

反向電流公式為：

I_R = I_S left( e^{frac{-V}{nV_T}} - 1 right)

其中 (V_T = kT/q) 為熱電壓，(n) 為發射系數。

二、關鍵參數與技術意義

反向擊穿電壓（Breakdown Voltage, (V_{BR})）
當反向電壓超過阈值時，發生雪崩擊穿或齊納擊穿，電流急劇上升。例如整流二極管1N4007的 (V_{BR} geq 50V) 。

反向恢複時間（Reverse Recovery Time, (t_{rr})）
快恢複二極管（如FR107）的 (t_{rr} approx 500ns)，影響開關電路效率。

三、典型應用場景

整流電路：利用反向高阻态阻斷交流負半周
電壓鉗位：齊納二極管反向特性實現穩壓（如BZX85系列）
ESD防護：TVS管依賴反向擊穿特性吸收浪湧能量

參考來源

《半導體器件物理》（施敏, 伍國珏著）第3章 PN結特性
Vishay半導體技術文檔 "Diode Forward & Reverse Characteristics" (文檔編號: 88321)
IEEE論文 "Analysis of Reverse Recovery in Power Diodes" (DOI: 10.1109/TPEL.2018.2878746)

（注：文獻來源可通過學術數據庫或制造商官網驗證，鍊接因平台限制未直接嵌入）

網絡擴展解釋

“反向特性”是電子學中用于描述二極管等半導體器件在反向偏置狀态下的電學行為的關鍵概念。以下是詳細解釋：

1.基本定義

反向特性指二極管的正極接低電位、負極接高電位（即反向偏置）時表現出的特性。此時，二極管處于截止狀态，内部僅存在極微弱電流（稱為反向飽和電流或漏電流）。這種特性源于PN結内電場的增強，阻礙了多數載流子的擴散運動。

2.反向電流的特性

微小且穩定：反向電流由少數載流子的漂移運動形成，其數值極小（矽管通常小于0.1μA，鍺管可達幾十μA），且在反向電壓一定範圍内幾乎不隨電壓變化。
溫度依賴性：溫度每升高10℃，反向電流約增大一倍，因溫度升高會增加少數載流子的濃度。

3.反向擊穿現象

當反向電壓超過臨界值（反向擊穿電壓UBR）時，反向電流會急劇增大，導緻二極管失去單向導電性。擊穿分為兩種：

電擊穿：可逆的雪崩擊穿或齊納擊穿，若控制電流可恢複。
熱擊穿：不可逆的損壞，因電流過大導緻器件過熱。

4.與正向特性的對比

正向偏置：電壓超過開啟電壓（矽管約0.6V，鍺管約0.2V）後導通，電流隨電壓指數增長。
反向偏置：截止狀态下電流極小，直至擊穿發生，呈現高電阻特性。

5.應用與注意事項

整流與保護：利用反向截止特性實現電路的單向導通功能，但需避免反向擊穿。
溫度補償：設計電路時需考慮溫度對反向電流的影響。

總結來看，反向特性是二極管實現單向導電的關鍵機制，其核心在于反向偏置下的截止狀态與擊穿臨界點的控制。