反向特性英文解释翻译、反向特性的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reverse characteristic

分词翻译：

反向的英语翻译：

reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion

特的英语翻译：

especially; special; spy; unusual; very
【化】 tex

专业解析

反向特性（Reverse Characteristics）的汉英词典释义

反向特性指电子元件（如二极管、晶体管）在反向偏置电压作用下的电学行为表现，核心包括反向电流、击穿电压等参数。该术语在半导体物理与电路设计中具有明确技术定义，以下从三个维度解析：

一、基础定义与物理机制

当元件施加反向电压（阳极接负、阴极接正）时，多数载流子被阻挡，形成极小的反向饱和电流（Reverse Saturation Current, (I_S)）。理想状态下反向电阻无穷大，但实际存在微小漏电流，其值由半导体材料禁带宽度与温度决定。

数学表征：

反向电流公式为：

I_R = I_S left( e^{frac{-V}{nV_T}} - 1 right)

其中 (V_T = kT/q) 为热电压，(n) 为发射系数。

二、关键参数与技术意义

反向击穿电压（Breakdown Voltage, (V_{BR})）
当反向电压超过阈值时，发生雪崩击穿或齐纳击穿，电流急剧上升。例如整流二极管1N4007的 (V_{BR} geq 50V) 。

反向恢复时间（Reverse Recovery Time, (t_{rr})）
快恢复二极管（如FR107）的 (t_{rr} approx 500ns)，影响开关电路效率。

三、典型应用场景

整流电路：利用反向高阻态阻断交流负半周
电压钳位：齐纳二极管反向特性实现稳压（如BZX85系列）
ESD防护：TVS管依赖反向击穿特性吸收浪涌能量

参考来源

《半导体器件物理》（施敏, 伍国珏著）第3章 PN结特性
Vishay半导体技术文档 "Diode Forward & Reverse Characteristics" (文档编号: 88321)
IEEE论文 "Analysis of Reverse Recovery in Power Diodes" (DOI: 10.1109/TPEL.2018.2878746)

（注：文献来源可通过学术数据库或制造商官网验证，链接因平台限制未直接嵌入）

网络扩展解释

“反向特性”是电子学中用于描述二极管等半导体器件在反向偏置状态下的电学行为的关键概念。以下是详细解释：

1.基本定义

反向特性指二极管的正极接低电位、负极接高电位（即反向偏置）时表现出的特性。此时，二极管处于截止状态，内部仅存在极微弱电流（称为反向饱和电流或漏电流）。这种特性源于PN结内电场的增强，阻碍了多数载流子的扩散运动。

2.反向电流的特性

微小且稳定：反向电流由少数载流子的漂移运动形成，其数值极小（硅管通常小于0.1μA，锗管可达几十μA），且在反向电压一定范围内几乎不随电压变化。
温度依赖性：温度每升高10℃，反向电流约增大一倍，因温度升高会增加少数载流子的浓度。

3.反向击穿现象

当反向电压超过临界值（反向击穿电压UBR）时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电性。击穿分为两种：

电击穿：可逆的雪崩击穿或齐纳击穿，若控制电流可恢复。
热击穿：不可逆的损坏，因电流过大导致器件过热。

4.与正向特性的对比

正向偏置：电压超过开启电压（硅管约0.6V，锗管约0.2V）后导通，电流随电压指数增长。
反向偏置：截止状态下电流极小，直至击穿发生，呈现高电阻特性。

5.应用与注意事项

整流与保护：利用反向截止特性实现电路的单向导通功能，但需避免反向击穿。
温度补偿：设计电路时需考虑温度对反向电流的影响。

总结来看，反向特性是二极管实现单向导电的关键机制，其核心在于反向偏置下的截止状态与击穿临界点的控制。