反向漏電流英文解釋翻譯、反向漏電流的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reverse leakage current

分詞翻譯：

反向的英語翻譯：

reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion

漏電流的英語翻譯：

【計】 leakage current

專業解析

反向漏電流（Reverse Leakage Current）是半導體器件中的關鍵電學參數，其漢英對照釋義及技術解析如下：

一、術語定義

中文：反向漏電流
英文：Reverse Leakage Current
指半導體器件（如二極管、晶體管）在反向偏置電壓下，未被完全抑制的微小電流。理想情況下反向電流應為零，實際因載流子運動産生微量洩漏。

二、物理機制

載流子産生-複合
耗盡區内熱生電子-空穴對在電場作用下形成電流（Generation-Recombination Current）。

表面漏電
器件表面缺陷或污染導緻沿表面路徑的電流（Surface Leakage）。

隧穿效應
高摻雜PN結中，量子隧穿引發帶間隧穿電流（Band-to-Band Tunneling）。

三、特性與影響

溫度依賴性：
遵循公式：

$$ I_R propto T^{3/2} e^{-E_g/(2kT)} $$

溫度每升高10°C，漏電流約增大1倍。

電壓相關性：
低壓區以擴散電流為主，高壓區以漂移電流主導。

材料影響：
矽器件漏電流典型值約nA級，寬禁帶材料（如SiC、GaN）可低至pA級。

四、應用意義

高反向漏電流會導緻：

靜态功耗上升（尤其低功耗IC）
器件溫升加速可靠性劣化
擊穿電壓提前（如Zener二極管穩壓失效）。

權威參考來源：

IEEE标準術語庫 IEEE 100: The Authoritative Dictionary of IEEE Standards Terms
安森美半導體技術白皮書 "Understanding Diode Reverse Recovery"
《半導體器件物理》（施敏著）第3章載流子輸運理論
英飛淩應用筆記 "GaN HEMT Reverse Conduction Analysis"

網絡擴展解釋

反向漏電流是半導體器件（如二極管、PN結）在反向偏置時流過的微小電流，其形成原理和特性如下：

一、基本定義

反向漏電流指在反向工作狀态下，由于少數載流子漂移運動形成的微小電流。理想情況下，它由兩部分組成：

體内擴散電流：少數載流子跨越空間電荷區的擴散運動形成。
空間電荷區産生電流：空間電荷區内電子-空穴對的産生引起（矽材料中以此為主）。

二、關鍵特性

溫度敏感性
反向漏電流與溫度呈指數關系，溫度每升高10℃，電流可能翻倍。例如矽二極管在常溫下漏電流約nA級，高溫下顯著增大。
電壓依賴性
在未達到擊穿電壓前，漏電流隨反向電壓升高而略微增加；超過擊穿電壓後電流驟增，導緻器件失效。
材料與工藝影響
- 禁帶寬度越大的材料（如碳化矽），反向漏電流越小。
- 表面漏電流與PN結制造工藝（如鈍化層質量）密切相關。

三、實際影響

在高壓應用中（如整流電路），較大的反向漏電流會導緻：

功率損耗增加
器件發熱加劇
系統效率下降

提示：不同應用場景對反向漏電流的容忍度不同，例如高頻電路需選擇超低漏電流二極管，具體參數可參考廠商數據手冊。