反向漏电流英文解释翻译、反向漏电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reverse leakage current

分词翻译：

反向的英语翻译：

reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion

漏电流的英语翻译：

【计】 leakage current

专业解析

反向漏电流（Reverse Leakage Current）是半导体器件中的关键电学参数，其汉英对照释义及技术解析如下：

一、术语定义

中文：反向漏电流
英文：Reverse Leakage Current
指半导体器件（如二极管、晶体管）在反向偏置电压下，未被完全抑制的微小电流。理想情况下反向电流应为零，实际因载流子运动产生微量泄漏。

二、物理机制

载流子产生-复合
耗尽区内热生电子-空穴对在电场作用下形成电流（Generation-Recombination Current）。

表面漏电
器件表面缺陷或污染导致沿表面路径的电流（Surface Leakage）。

隧穿效应
高掺杂PN结中，量子隧穿引发带间隧穿电流（Band-to-Band Tunneling）。

三、特性与影响

温度依赖性：
遵循公式：

$$ I_R propto T^{3/2} e^{-E_g/(2kT)} $$

温度每升高10°C，漏电流约增大1倍。

电压相关性：
低压区以扩散电流为主，高压区以漂移电流主导。

材料影响：
硅器件漏电流典型值约nA级，宽禁带材料（如SiC、GaN）可低至pA级。

四、应用意义

高反向漏电流会导致：

静态功耗上升（尤其低功耗IC）
器件温升加速可靠性劣化
击穿电压提前（如Zener二极管稳压失效）。

权威参考来源：

IEEE标准术语库 IEEE 100: The Authoritative Dictionary of IEEE Standards Terms
安森美半导体技术白皮书 "Understanding Diode Reverse Recovery"
《半导体器件物理》（施敏著）第3章载流子输运理论
英飞凌应用笔记 "GaN HEMT Reverse Conduction Analysis"

网络扩展解释

反向漏电流是半导体器件（如二极管、PN结）在反向偏置时流过的微小电流，其形成原理和特性如下：

一、基本定义

反向漏电流指在反向工作状态下，由于少数载流子漂移运动形成的微小电流。理想情况下，它由两部分组成：

体内扩散电流：少数载流子跨越空间电荷区的扩散运动形成。
空间电荷区产生电流：空间电荷区内电子-空穴对的产生引起（硅材料中以此为主）。

二、关键特性

温度敏感性
反向漏电流与温度呈指数关系，温度每升高10℃，电流可能翻倍。例如硅二极管在常温下漏电流约nA级，高温下显著增大。
电压依赖性
在未达到击穿电压前，漏电流随反向电压升高而略微增加；超过击穿电压后电流骤增，导致器件失效。
材料与工艺影响
- 禁带宽度越大的材料（如碳化硅），反向漏电流越小。
- 表面漏电流与PN结制造工艺（如钝化层质量）密切相关。

三、实际影响

在高压应用中（如整流电路），较大的反向漏电流会导致：

功率损耗增加
器件发热加剧
系统效率下降

提示：不同应用场景对反向漏电流的容忍度不同，例如高频电路需选择超低漏电流二极管，具体参数可参考厂商数据手册。