發射極耦合邏輯電路英文解釋翻譯、發射極耦合邏輯電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 ECL; emitter-coupled logic

分詞翻譯：

發射的英語翻譯：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【醫】 emission

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

耦合的英語翻譯：

coupling
【計】 coupling

邏輯電路的英語翻譯：

【化】 logic circuit

專業解析

發射極耦合邏輯電路（Emitter-Coupled Logic, ECL）是一種基于雙極型晶體管（BJT）的非飽和型數字集成電路技術。其核心特征是利用晶體管的發射極耦合差分對作為基本開關單元，通過控制電流在差分對間的切換實現高速邏輯操作。以下是關鍵要點：

工作原理
- 基本單元由差分放大器構成，包含一對共發射極晶體管，其發射極通過恒流源耦合。
- 輸入信號施加在一個晶體管的基極，參考電壓施加在另一個基極。
- 根據輸入電壓與參考電壓的比較，恒流源電流被“導向”其中一個晶體管，導緻其集電極電壓變化，從而産生互補的輸出信號（通常為“或”和“或非”輸出）。
- 晶體管始終工作線上性區或截止區，避免進入飽和區，消除了因飽和存儲電荷造成的開關延遲，這是ECL高速的主要原因。
核心特點
- 超高速度：典型門延遲可達亞納秒級（如1-3ns），是目前最快的雙極型邏輯電路之一。主要得益于非飽和工作模式、小邏輯擺幅（約0.8V）和低節點電容。
- 低噪聲容限：較小的邏輯擺幅（高電平約-0.9V，低電平約-1.7V）導緻噪聲容限較低（約0.3V），對電源噪聲和串擾較敏感。
- 高功耗：電路中的恒流源和射極跟隨器輸出級（提供低輸出阻抗）持續消耗電流，導緻靜态功耗較高，與CMOS相比能效較低。
- 互補輸出：每個邏輯門通常提供“或”和“或非”兩個互補輸出，方便設計。
- 負電源電壓：傳統ECL常采用負電源（如VEE = -5.2V），有助于減少集電極-襯底電容和噪聲。
主要應用
- 曆史上和當前仍應用于對速度要求極高的領域，如：
  - 高速計算機的中央處理器（CPU）和算術邏輯單元（ALU）（尤其在CMOS技術成熟前）。
  - 微波和射頻系統。
  - 高速數據通信設備（如光纖通信接收器、高速串行接口）。
  - 高速測試儀器（如采樣示波器、頻率合成器）。
  - 雷達和電子戰系統。
中英文術語對照與解釋
- 發射極耦合 (Emitter-Coupled)：指電路的核心結構是兩個（或多個）晶體管的發射極連接在一起，并通過一個恒流源（或電阻）耦合到負電源。這種耦合方式使得電流在差分對管之間切換。
- 邏輯電路 (Logic Circuit)：指該電路用于實現數字邏輯功能（如或、或非等），是構成數字系統的基本單元。
- Emitter-Coupled Logic (ECL)：英文全稱，直接描述了其技術特征（發射極耦合）和用途（邏輯電路）。有時也稱為Current-Mode Logic (CML)，強調其通過切換電流路徑來工作。

權威性參考來源：

該定義及工作原理基于标準電子工程教科書和集成電路設計專著中對ECL技術的經典描述，例如《Digital Integrated Circuits》 (Rabaey, Chandrakasan, Nikolic) 或《Analysis and Design of Analog Integrated Circuits》 (Gray, Hurst, Lewis, Meyer) 中關于ECL的章節。
關于ECL速度、功耗、噪聲容限等特性的具體數值範圍，參考了半導體器件數據手冊（如曆史ECL系列如10K, 100K）和IEEE等專業期刊上關于高速電路設計的綜述論文。
應用場景的總結參考了電子行業報告（如Gartner, IDC關于計算和通信硬件的分析）以及主要半導體制造商（如Texas Instruments, ON Semiconductor）提供的關于其ECL産品線的應用筆記。

網絡擴展解釋

發射極耦合邏輯電路（Emitter-Coupled Logic，ECL）是一種基于晶體管非飽和工作狀态的高速數字集成電路，主要用于需要極高開關速度的場景。以下是其核心要點：

1.基本結構與原理

結構組成：由差分對管（輸入晶體管與定偏晶體管）和射極跟隨器構成。輸入晶體管發射極通過耦合電阻（Re）連接，形成電流開關；射極跟隨器負責電平位移和信號緩沖。
工作原理：通過輸入信號與參考電壓的差值控制電流在差分對管間的切換，實現邏輯功能（如“或”和“或非”輸出）。晶體管始終工作在非飽和區，避免了存儲延遲。

2.主要特點

高速性能：平均延遲時間可低至1納秒，是目前速度最快的數字電路類型之一。
低邏輯幅度：典型邏輯電平為-0.8V（高）和-1.6V（低），參考電平為-1.2V，通過射極跟隨器隔離保證穩定性。
缺點：功耗較大，抗幹擾能力較弱，且電平阈值易受溫度影響。

3.應用場景

主要用于超高速計算設備，如大型計算機、通信系統及高頻測試儀器。

4.擴展功能

支持“點與”“線或”等邏輯組合，通過互補輸入輸出和多層邏輯設計提升靈活性。

如需更深入的電路分析或公式推導，可參考相關電子工程文獻或專業教材。