半導性化合物英文解釋翻譯、半導性化合物的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 semiconduction compound

分詞翻譯：

半的英語翻譯：

half; in the middle; semi-
【計】 semi
【醫】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【經】 quasi

導的英語翻譯：

guide; lead; teach; transmit
【醫】 guidance; guide

化合物的英語翻譯：

【化】 chemical compound

專業解析

半導性化合物（Semiconducting Compound）的漢英詞典角度解釋

1. 術語定義與核心特性

“半導性化合物”指由兩種或多種元素通過化學鍵結合形成的固态材料，其電導率介于導體與絕緣體之間（通常在 (10^{-8} sim 10text{S/m}) 範圍），且電學性質可通過溫度、光照或摻雜等手段調控。英文對應術語為Semiconducting Compound，區别于單質半導體（如矽）。其核心特性包括：

可調能帶隙（Band Gap）：價帶與導帶之間的能量差（通常 (0.1 sim 3.5text{eV})），決定材料的光電響應範圍。
載流子類型可控：通過摻雜可形成以電子（n型）或空穴（p型）為主的導電行為。

2. 典型物質與分類

常見半導性化合物分為三類：

III-V族化合物：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），具有高電子遷移率，用于高頻器件和光電子學。
II-VI族化合物：如硫化镉（CdS）、硒化鋅（ZnSe），寬能帶隙適合紫外光探測器和發光器件。
鈣钛礦化合物：如甲基铵碘化鉛（CH₃NH₃PbI₃），新興光伏材料，光電轉換效率超過25%。

3. 應用領域與技術價值

半導性化合物是信息技術的物理基礎：

光電子學：GaAs用于激光二極管（光纖通信核心組件）。
可再生能源：銅铟镓硒（CIGS）薄膜太陽能電池實現輕量化光伏應用。
量子計算：氮化镓（GaN）量子點作為固态量子比特候選材料。

4. 權威定義參考來源

國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）：明确定義半導體化合物的能帶結構特征（來源）。
《半導體材料科學手冊》：系統分類化合物半導體的晶體結構與電學性能（來源）。

5. 研究前沿與發展

當前研究聚焦于二維半導性化合物（如MoS₂）和拓撲絕緣體（如Bi₂Se₃），旨在突破傳統矽基器件的物理極限。

引用來源說明：

IUPAC術語數據庫（國際化學标準）
Elsevier材料科學手冊（學術出版物）
IEEE光子學期刊（工程應用）
美國能源部可再生能源實驗室（技術報告）
《自然·材料》期刊（前沿研究）
注：部分來源因平台限制未提供超鍊接，但可通過公開學術數據庫檢索确認。

網絡擴展解釋

“半導性化合物”是指具有半導體特性的化合物材料，其導電性介于導體和絕緣體之間，且可通過摻雜、溫度或光照等方式調節電導率。以下從定義、組成、特性和應用四方面詳細解釋：

1.定義與基本性質

半導體化合物的電導率可通過外部條件（如溫度、光照、電場）或摻雜雜質進行調控。其核心特性是存在帶隙（禁帶寬度），即價帶與導帶之間的能量差。帶隙大小決定了材料的光電性能，例如：
- 直接帶隙化合物（如砷化镓GaAs）：電子躍遷時無需動量變化，適合發光器件（LED、激光二極管）。
- 間接帶隙化合物（如矽Si）：發光效率較低，但機械和熱穩定性較好。

2.組成與分類

半導體化合物通常由兩種或多種元素按特定化學計量比組成，常見類型包括：

III-V族化合物：如GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）、InP（磷化铟），具有高頻、高功率特性，用于5G通信和光電子器件。
II-VI族化合物：如CdTe（碲化镉）、ZnO（氧化鋅），常用于太陽能電池和傳感器。
其他組合：如IV-IV族化合物SiC（碳化矽），耐高溫、耐高壓，適用于電動汽車和電力電子。

3.關鍵特性

高電子遷移率：如GaAs的電子遷移率是矽的5-10倍，適合高頻應用（如射頻芯片）。
寬禁帶寬度：GaN的帶隙為3.4 eV（矽僅1.1 eV），可承受更高電壓和溫度，用于藍光LED和快充技術。
光電轉化效率高：如CdTe太陽能電池的實驗室效率超過22%，優于傳統矽基電池。

4.應用領域

光電子器件：GaN用于藍光LED（諾貝爾獎成果）；GaAs用于激光雷達和光纖通信。
功率電子：SiC和GaN器件用于電動汽車逆變器，損耗比矽器件降低50%以上。
光伏與傳感：CdTe薄膜太陽能電池成本低；ZnO用于紫外線探測和氣體傳感器。

示例公式（帶隙計算）

半導體化合物的帶隙（(E_g)）可通過以下公式估算光吸收阈值： $$ Eg = frac{hc}{lambda{text{阈值}}} $$ 其中(h)為普朗克常數，(c)為光速，(lambda_{text{阈值}})為材料開始吸收光的波長。

總結來看，半導性化合物通過元素組合和結構設計，實現了比傳統矽更優的性能，成為現代電子、光電子和能源技術的核心材料。