半導體異質結構英文解釋翻譯、半導體異質結構的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【電】 semiconductor heterostructure
分詞翻譯：
半導體的英語翻譯：
semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor
異質結的英語翻譯：
【計】 heterojunction
構的英語翻譯：
compose; construct; fabricate; form; make up
【機】 groove
網絡擴展解釋
半導體異質結構是由不同半導體材料層組成的複合結構，其核心在于材料間的能帶差異及界面特性。以下從多個維度綜合解釋：
1.定義與組成
半導體異質結構通常由兩層以上不同半導體材料薄膜依次沉積形成，例如砷化镓（GaAs）或矽-鍺（Si-Ge）合金等。這些材料具有不同的能帶隙，通過界面形成獨特的電子和空穴分布特性。
2.結構分類
- 同型異質結：導電類型相同的不同半導體結合，如n型Ge與n型GaAs。
- 異型異質結：導電類型相反的材料結合，如p型Ge與n型GaAs。
- 多層結構：多個異質結疊加，可形成更複雜的功能特性。
3.能帶類型
根據導帶和價帶的對準方式，分為：
- Ⅰ型異質結：窄帶材料的導帶底和價帶頂嵌套在寬帶材料禁帶中（如GaAs/AlGaAs），電子與空穴集中在同一側。
- Ⅱ型異質結：能帶錯位導緻電子和空穴分布在界面兩側，具有獨特的載流子分離特性。
4.核心特性
- 量子效應：在納米尺度（如幾十埃）的中間層，電子能态量子化，基态能量顯著改變。
- 遷移率提升：通過雜質與載流子的空間分離，減少散射，提高電子遷移率。
- 光電調控：通過調節材料層厚度和能帶隙，可優化器件的電流-電壓響應。
5.應用領域
半導體異質結構是高頻晶體管（如HEMT）、激光二極管和太陽能電池的核心元件。其能帶工程設計也推動了量子計算和新型光電器件的發展。
如需更深入的技術細節（如具體能帶計算），可參考高權威性文獻或專業軟件（如Materials Studio）模拟結果。
分類
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