英语翻译：

【电】 semiconductor heterostructure

分词翻译：

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

异质结的英语翻译：

【计】 heterojunction

构的英语翻译：

compose; construct; fabricate; form; make up
【机】 groove

网络扩展解释

半导体异质结构是由不同半导体材料层组成的复合结构，其核心在于材料间的能带差异及界面特性。以下从多个维度综合解释：

1.定义与组成

半导体异质结构通常由两层以上不同半导体材料薄膜依次沉积形成，例如砷化镓（GaAs）或硅-锗（Si-Ge）合金等。这些材料具有不同的能带隙，通过界面形成独特的电子和空穴分布特性。

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2.结构分类

• 同型异质结：导电类型相同的不同半导体结合，如n型Ge与n型GaAs。
• 异型异质结：导电类型相反的材料结合，如p型Ge与n型GaAs。
• 多层结构：多个异质结叠加，可形成更复杂的功能特性。

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3.能带类型

根据导带和价带的对准方式，分为：

• Ⅰ型异质结：窄带材料的导带底和价带顶嵌套在宽带材料禁带中（如GaAs/AlGaAs），电子与空穴集中在同一侧。
• Ⅱ型异质结：能带错位导致电子和空穴分布在界面两侧，具有独特的载流子分离特性。

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4.核心特性

• 量子效应：在纳米尺度（如几十埃）的中间层，电子能态量子化，基态能量显著改变。
• 迁移率提升：通过杂质与载流子的空间分离，减少散射，提高电子迁移率。
• 光电调控：通过调节材料层厚度和能带隙，可优化器件的电流-电压响应。

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5.应用领域

半导体异质结构是高频晶体管（如HEMT）、激光二极管和太阳能电池的核心元件。其能带工程设计也推动了量子计算和新型光电器件的发展。

如需更深入的技术细节（如具体能带计算），可参考高权威性文献或专业软件（如Materials Studio）模拟结果。

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