電荷轉移元件英文解釋翻譯、電荷轉移元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 charge-transfer device

分詞翻譯：

電荷的英語翻譯：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【醫】 charge

轉移的英語翻譯：

convey; shift; transfer; call away; change; devolve; displace; divert
【計】 handover; jump; XFER
【化】 metastasis
【醫】 abevacuation; diadexis; extensioin per saltam; metabasis; metachoresis
metaptosis; metastasis; metastasize; shift; transfer; transference
transport
【經】 alienation; transmission

元件的英語翻譯：

component; element; organ
【計】 E
【化】 element

專業解析

電荷轉移元件（Charge Transfer Device, CTD）是電子工程領域的核心組件，指通過控制電勢實現電荷存儲與定向遷移的半導體器件。其英文術語源自電荷（Charge）的物理特性與轉移（Transfer）的功能描述，常見類型包括電荷耦合器件（CCD）和電荷注入器件（CID）。

從結構上看，電荷轉移元件由以下三部分構成：

金屬-氧化物-半導體單元：通過栅極電壓形成勢阱捕獲電荷
時鐘驅動電路：提供精确時序控制電荷轉移
輸出放大器：将電荷量轉換為可測電壓信號

工作原理基于半導體表面勢阱的深度調制，通過周期性時鐘信號驅動，使電荷包沿預定路徑逐級傳遞。該過程滿足電荷守恒定律：

$$ Q{out} = Q{in} - Delta Q{loss} $$

其中$Q{out}$為輸出電荷量，$Q{in}$為輸入電荷量，$Delta Q{loss}$為傳輸損耗。

主要應用包括：

高精度圖像傳感器（參考：SPIE光學工程學報）
非易失性存儲器（參考：IEEE電子器件彙刊）
輻射探測器（參考：美國物理聯合會應用物理雜志）

技術參數通常包含轉移效率（>99.99%）、暗電流（<1nA/cm²）和響應線性度（±0.05%）等關鍵指标，具體标準可查閱IEC 60747半導體器件國際規範。

網絡擴展解釋

電荷轉移元件（Charge Transfer Device, CTD）是一類基于電荷存儲與定向轉移原理工作的半導體器件，主要用于信號處理、信息存儲及圖像傳感等領域。以下是其核心概念及分類的詳細解釋：

1.基本結構與工作原理

電荷轉移元件通常由一系列緊密排列的MOS（金屬-氧化物-半導體）電容器陣列組成，并配備輸入/輸出結構。工作時，通過施加時鐘脈沖電壓，在半導體表面形成可存儲少數載流子（如電子或空穴）的勢阱。信號電荷通過光注入或電注入進入勢阱後，隨着時鐘脈沖的周期性變化，勢阱深度發生規律性改變，驅動電荷沿特定方向逐級轉移至輸出端。

2.主要類型

電荷耦合器件（CCD）：最常見的電荷轉移元件，利用三相時鐘脈沖控制電荷包在相鄰勢阱中的移動。其結構需至少三個電極，确保電荷單向傳輸。
鬥鍊器件（BBD）：通過開關電容電路實現電荷轉移，結構相對簡單，但傳輸效率較低。

3.關鍵特性

傳輸效率：衡量電荷在轉移過程中的損耗，通常要求高于99.99%以保證信號完整性。
深耗盡狀态：在強栅壓下形成無自由載流子的耗盡層，為電荷存儲提供勢阱。

4.典型應用

圖像傳感：CCD廣泛用于數碼相機、天文望遠鏡等，通過光生電荷的收集與轉移生成圖像。
模拟延遲線：利用電荷傳輸的時間延遲特性處理模拟信號。
數字移位寄存器：用于高速數據存儲與傳輸。

5.技術優勢與局限

優勢：高靈敏度、低噪聲、適合大規模集成。
局限：功耗較高，制造工藝複雜，逐漸被CMOS圖像傳感器替代。

如需進一步了解具體器件參數或應用案例，可參考、等來源的完整技術文檔。