电荷转移元件英文解释翻译、电荷转移元件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 charge-transfer device

分词翻译：

电荷的英语翻译：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【医】 charge

转移的英语翻译：

convey; shift; transfer; call away; change; devolve; displace; divert
【计】 handover; jump; XFER
【化】 metastasis
【医】 abevacuation; diadexis; extensioin per saltam; metabasis; metachoresis
metaptosis; metastasis; metastasize; shift; transfer; transference
transport
【经】 alienation; transmission

元件的英语翻译：

component; element; organ
【计】 E
【化】 element

专业解析

电荷转移元件（Charge Transfer Device, CTD）是电子工程领域的核心组件，指通过控制电势实现电荷存储与定向迁移的半导体器件。其英文术语源自电荷（Charge）的物理特性与转移（Transfer）的功能描述，常见类型包括电荷耦合器件（CCD）和电荷注入器件（CID）。

从结构上看，电荷转移元件由以下三部分构成：

金属-氧化物-半导体单元：通过栅极电压形成势阱捕获电荷
时钟驱动电路：提供精确时序控制电荷转移
输出放大器：将电荷量转换为可测电压信号

工作原理基于半导体表面势阱的深度调制，通过周期性时钟信号驱动，使电荷包沿预定路径逐级传递。该过程满足电荷守恒定律：

$$ Q{out} = Q{in} - Delta Q{loss} $$

其中$Q{out}$为输出电荷量，$Q{in}$为输入电荷量，$Delta Q{loss}$为传输损耗。

主要应用包括：

高精度图像传感器（参考：SPIE光学工程学报）
非易失性存储器（参考：IEEE电子器件汇刊）
辐射探测器（参考：美国物理联合会应用物理杂志）

技术参数通常包含转移效率（>99.99%）、暗电流（<1nA/cm²）和响应线性度（±0.05%）等关键指标，具体标准可查阅IEC 60747半导体器件国际规范。

网络扩展解释

电荷转移元件（Charge Transfer Device, CTD）是一类基于电荷存储与定向转移原理工作的半导体器件，主要用于信号处理、信息存储及图像传感等领域。以下是其核心概念及分类的详细解释：

1.基本结构与工作原理

电荷转移元件通常由一系列紧密排列的MOS（金属-氧化物-半导体）电容器阵列组成，并配备输入/输出结构。工作时，通过施加时钟脉冲电压，在半导体表面形成可存储少数载流子（如电子或空穴）的势阱。信号电荷通过光注入或电注入进入势阱后，随着时钟脉冲的周期性变化，势阱深度发生规律性改变，驱动电荷沿特定方向逐级转移至输出端。

2.主要类型

电荷耦合器件（CCD）：最常见的电荷转移元件，利用三相时钟脉冲控制电荷包在相邻势阱中的移动。其结构需至少三个电极，确保电荷单向传输。
斗链器件（BBD）：通过开关电容电路实现电荷转移，结构相对简单，但传输效率较低。

3.关键特性

传输效率：衡量电荷在转移过程中的损耗，通常要求高于99.99%以保证信号完整性。
深耗尽状态：在强栅压下形成无自由载流子的耗尽层，为电荷存储提供势阱。

4.典型应用

图像传感：CCD广泛用于数码相机、天文望远镜等，通过光生电荷的收集与转移生成图像。
模拟延迟线：利用电荷传输的时间延迟特性处理模拟信号。
数字移位寄存器：用于高速数据存储与传输。

5.技术优势与局限

优势：高灵敏度、低噪声、适合大规模集成。
局限：功耗较高，制造工艺复杂，逐渐被CMOS图像传感器替代。

如需进一步了解具体器件参数或应用案例，可参考、等来源的完整技术文档。