電洞中心效應英文解釋翻譯、電洞中心效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 hole-in-the-center effect

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

cave; cavity; hole; hollow
【化】 hole; opening
【醫】 bore; cava; cavern; caverna; cavitas; cavitat; cavity; cavum; syringo-

centrality; centre; centricity; core; heart; hub; kernel
【醫】 center; centra; centre; centro-; centrum; core

effect
【醫】 effect

電洞中心效應（英文：Hole Trap Effect）是半導體物理學中的重要概念，指晶體缺陷或雜質在半導體中捕獲電洞（空穴）形成局域化正電荷中心，從而顯著改變材料電學性能的現象。以下從漢英詞典角度分層解析其含義與機制：

捕獲過程
當電洞接近陷阱中心時，受庫侖力作用被束縛于缺陷位置，形成正電荷局域态。此過程遵循Shockley-Read-Hall 複合理論：

$$ R = frac{C_p C_n n p}{C_n (n + n_1) + C_p (p + p_1)} $$

其中 $C_n$、$C_p$ 為電子/空穴捕獲系數，$n_1$、$p_1$ 為陷阱能級相關載流子濃度。
性能劣化
- 電導率下降：被捕獲電洞無法參與導電，導緻載流子遷移率降低。
- 非輻射複合增強：陷阱中心加速電子-空穴對的非輻射複合，降低發光器件效率（如LED、激光二極管）。
- 器件老化：長期捕獲引發材料結構退化，縮短電子元件壽命。

半導體摻雜工藝控制
在P型半導體中，過度摻雜可能引入深能級陷阱（如硼摻雜矽中的硼間隙缺陷），需通過退火工藝抑制電洞捕獲。
輻射損傷分析
高能粒子輻照在半導體中産生缺陷簇，形成電洞陷阱中心，是航天電子器件失效的主要機制之一（參考 IEEE Transactions on Nuclear Science）。
光電探測器優化
降低陷阱密度可減少暗電流，提升探測器信噪比（如HgCdTe紅外探測器）。

"Carrier Trapping in Semiconductors" (Journal of Applied Physics, 2020)
量化分析電洞陷阱對器件性能的影響阈值。

關于“電洞中心效應”這一術語，目前可查的權威資料中并未找到直接對應的解釋。根據現有信息推測，可能存在以下兩種情況：

術語混淆的可能性
“電洞”在物理學中通常指半導體中的“空穴”（即載流子的一種），而“中心效應”在臨床試驗領域有明确定義，指不同研究中心的異質性導緻療效差異的現象。兩者分屬不同學科領域，可能因表述組合産生歧義。
現有相關概念的延伸解釋
- 電洞（空穴）行為：在半導體中，空穴的運動受材料缺陷、摻雜濃度等“中心”因素影響，例如雜質原子可能成為空穴的複合中心或散射中心，影響導電性。這類現象通常被稱為“陷阱效應”或“散射效應”。
- 中心效應（臨床研究）：指多中心臨床試驗中，因各中心執行能力、受試者特征差異導緻的療效評估偏差，例如某中心可能因操作規範性問題使藥物效果被高估或低估。

建議：
若您所指的術語涉及特定學科（如凝聚态物理、材料科學），請提供更多上下文以便進一步分析；若為臨床試驗相關概念，可能需要核對術語準确性（如是否應為“電極中心效應”或其他表述）。