电洞中心效应英文解释翻译、电洞中心效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hole-in-the-center effect

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

cave; cavity; hole; hollow
【化】 hole; opening
【医】 bore; cava; cavern; caverna; cavitas; cavitat; cavity; cavum; syringo-

centrality; centre; centricity; core; heart; hub; kernel
【医】 center; centra; centre; centro-; centrum; core

effect
【医】 effect

电洞中心效应（英文：Hole Trap Effect）是半导体物理学中的重要概念，指晶体缺陷或杂质在半导体中捕获电洞（空穴）形成局域化正电荷中心，从而显著改变材料电学性能的现象。以下从汉英词典角度分层解析其含义与机制：

捕获过程
当电洞接近陷阱中心时，受库仑力作用被束缚于缺陷位置，形成正电荷局域态。此过程遵循Shockley-Read-Hall 复合理论：

$$ R = frac{C_p C_n n p}{C_n (n + n_1) + C_p (p + p_1)} $$

其中 $C_n$、$C_p$ 为电子/空穴捕获系数，$n_1$、$p_1$ 为陷阱能级相关载流子浓度。
性能劣化
- 电导率下降：被捕获电洞无法参与导电，导致载流子迁移率降低。
- 非辐射复合增强：陷阱中心加速电子-空穴对的非辐射复合，降低发光器件效率（如LED、激光二极管）。
- 器件老化：长期捕获引发材料结构退化，缩短电子元件寿命。

半导体掺杂工艺控制
在P型半导体中，过度掺杂可能引入深能级陷阱（如硼掺杂硅中的硼间隙缺陷），需通过退火工艺抑制电洞捕获。
辐射损伤分析
高能粒子辐照在半导体中产生缺陷簇，形成电洞陷阱中心，是航天电子器件失效的主要机制之一（参考 IEEE Transactions on Nuclear Science）。
光电探测器优化
降低陷阱密度可减少暗电流，提升探测器信噪比（如HgCdTe红外探测器）。

"Carrier Trapping in Semiconductors" (Journal of Applied Physics, 2020)
量化分析电洞陷阱对器件性能的影响阈值。

关于“电洞中心效应”这一术语，目前可查的权威资料中并未找到直接对应的解释。根据现有信息推测，可能存在以下两种情况：

术语混淆的可能性
“电洞”在物理学中通常指半导体中的“空穴”（即载流子的一种），而“中心效应”在临床试验领域有明确定义，指不同研究中心的异质性导致疗效差异的现象。两者分属不同学科领域，可能因表述组合产生歧义。
现有相关概念的延伸解释
- 电洞（空穴）行为：在半导体中，空穴的运动受材料缺陷、掺杂浓度等“中心”因素影响，例如杂质原子可能成为空穴的复合中心或散射中心，影响导电性。这类现象通常被称为“陷阱效应”或“散射效应”。
- 中心效应（临床研究）：指多中心临床试验中，因各中心执行能力、受试者特征差异导致的疗效评估偏差，例如某中心可能因操作规范性问题使药物效果被高估或低估。

建议：
若您所指的术语涉及特定学科（如凝聚态物理、材料科学），请提供更多上下文以便进一步分析；若为临床试验相关概念，可能需要核对术语准确性（如是否应为“电极中心效应”或其他表述）。