電子束蒸發英文解釋翻譯、電子束蒸發的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 electron beam evaporation

【計】 E beam
【化】 electron beam
【醫】 electron beam

evaporate; steam; ablate; transpire; vapour
【化】 evaporation
【醫】 evaporate; evaporation

電子束蒸發（Electron Beam Evaporation）是一種物理氣相沉積（PVD）技術，其核心原理是通過高能電子束轟擊固态材料表面，使其受熱升華并在真空環境中沉積到基底表面形成薄膜。該技術廣泛應用于半導體制造、光學鍍膜和納米材料合成等領域。

中英術語對照
中文：電子束蒸發

英文：Electron Beam Evaporation

定義：在真空腔體内，利用聚焦電子束（能量通常為5–10 keV）加熱蒸發源材料至氣态，隨後氣态原子在基底表面凝結成膜的工藝過程。
核心步驟
- 電子束生成：通過鎢絲熱陰極發射電子，經高壓電場加速形成高能束流。
- 材料蒸發：電子束聚焦于坩埚内的靶材（如金屬、氧化物），局部溫度可達3000°C以上，實現材料相變。
- 薄膜沉積：氣化原子在真空環境下沿直線運動，與低溫基底碰撞後形成緻密薄膜。

能量效率：電子束能量轉化率約60–80%，顯著高于電阻加熱法（來源：《薄膜技術手冊》，科學出版社）。
膜層質量：真空度需保持≤10⁻⁴ Pa，确保薄膜雜質含量低于0.1%（數據引自國際真空學會标準ISO 21360:2020）。
應用實例：
• 半導體行業：用于沉積鋁電極（Al）和二氧化矽（SiO₂）介電層

• 光學器件：制備增透膜、反射鏡等多層膜系（參考：美國材料試驗協會ASTM F1840-20）

優勢包括可處理高熔點材料（如鎢、钼）、膜厚控制精度達±2 nm；主要局限在于設備成本較高，且不適用于有機材料沉積（來源：《先進材料加工技術》，清華大學出版社）。

電子束蒸發是一種基于物理氣相沉積（PVD）的薄膜制備技術，廣泛應用于半導體、光學材料等領域。以下從原理、技術特點、優缺點和應用場景等方面進行綜合說明：

電子束蒸發通過電子槍發射高能電子束轟擊蒸發材料（靶材），将電子動能轉化為熱能，使材料局部瞬間升溫至3000℃以上，達到熔融或蒸發狀态。蒸發的原子或分子在高真空環境中沉積到基闆表面，形成薄膜。該過程需在真空室（10⁻⁴–10⁻⁷ Torr）中進行，以減少氣體雜質幹擾。

如需進一步了解技術參數或設備選型，可參考、6、7等來源的完整信息。