电子束蒸发英文解释翻译、电子束蒸发的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 electron beam evaporation

【计】 E beam
【化】 electron beam
【医】 electron beam

evaporate; steam; ablate; transpire; vapour
【化】 evaporation
【医】 evaporate; evaporation

电子束蒸发（Electron Beam Evaporation）是一种物理气相沉积（PVD）技术，其核心原理是通过高能电子束轰击固态材料表面，使其受热升华并在真空环境中沉积到基底表面形成薄膜。该技术广泛应用于半导体制造、光学镀膜和纳米材料合成等领域。

中英术语对照
中文：电子束蒸发

英文：Electron Beam Evaporation

定义：在真空腔体内，利用聚焦电子束（能量通常为5–10 keV）加热蒸发源材料至气态，随后气态原子在基底表面凝结成膜的工艺过程。
核心步骤
- 电子束生成：通过钨丝热阴极发射电子，经高压电场加速形成高能束流。
- 材料蒸发：电子束聚焦于坩埚内的靶材（如金属、氧化物），局部温度可达3000°C以上，实现材料相变。
- 薄膜沉积：气化原子在真空环境下沿直线运动，与低温基底碰撞后形成致密薄膜。

能量效率：电子束能量转化率约60–80%，显著高于电阻加热法（来源：《薄膜技术手册》，科学出版社）。
膜层质量：真空度需保持≤10⁻⁴ Pa，确保薄膜杂质含量低于0.1%（数据引自国际真空学会标准ISO 21360:2020）。
应用实例：
• 半导体行业：用于沉积铝电极（Al）和二氧化硅（SiO₂）介电层

• 光学器件：制备增透膜、反射镜等多层膜系（参考：美国材料试验协会ASTM F1840-20）

优势包括可处理高熔点材料（如钨、钼）、膜厚控制精度达±2 nm；主要局限在于设备成本较高，且不适用于有机材料沉积（来源：《先进材料加工技术》，清华大学出版社）。

电子束蒸发是一种基于物理气相沉积（PVD）的薄膜制备技术，广泛应用于半导体、光学材料等领域。以下从原理、技术特点、优缺点和应用场景等方面进行综合说明：

电子束蒸发通过电子枪发射高能电子束轰击蒸发材料（靶材），将电子动能转化为热能，使材料局部瞬间升温至3000℃以上，达到熔融或蒸发状态。蒸发的原子或分子在高真空环境中沉积到基板表面，形成薄膜。该过程需在真空室（10⁻⁴–10⁻⁷ Torr）中进行，以减少气体杂质干扰。