電子束偏轉英文解釋翻譯、電子束偏轉的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 beam deflection

分詞翻譯：

電子束的英語翻譯：

【計】 E beam
【化】 electron beam
【醫】 electron beam

偏轉的英語翻譯：

deflexion
【化】 eccentric rotation; offset
【醫】 declination; deflection

專業解析

電子束偏轉 (Electron Beam Deflection)

術語定義 (Terminology)

在電子工程與物理學領域，“電子束偏轉”指利用電場或磁場改變真空中電子束運動軌迹的技術。其英文術語為Electron Beam Deflection，核心原理基于帶電粒子在電磁場中受洛倫茲力作用發生路徑偏移。

一、基礎原理 (Fundamental Principles)

電磁場作用機制
電子束由高能電子流組成，通過陰極射線管（CRT）或電子槍發射。當電子穿越電場或磁場時：
- 電場偏轉：平行極闆間施加電壓形成靜電場，電子受庫侖力作用向正極闆偏轉，偏轉角度公式為：
  $$ theta = frac{eV_d L}{d m v} $$
  
  其中 ( V_d ) 為偏轉電壓，( L ) 為極闆長度，( d ) 為極闆間距，( v ) 為電子速度。
- 磁場偏轉：正交磁場使電子受洛倫茲力作圓周運動，偏轉半徑 ( r = frac{mv}{eB} )（( B ) 為磁感應強度）。
偏轉靈敏度
單位輸入信號（電壓/電流）引起的電子束位移量，是衡量偏轉系統效率的關鍵參數。

二、技術實現方式 (Technical Implementation)

電磁偏轉系統 (Electromagnetic Deflection)
- 采用兩組正交線圈（水平/垂直）生成時變磁場，通過改變線圈電流控制偏轉幅度。
- 優勢：適用于大角度偏轉，廣泛用于傳統CRT顯示器與雷達顯像管。
- 局限：線圈電感導緻高頻響應受限。
靜電偏轉系統 (Electrostatic Deflection)
- 利用兩組金屬偏轉闆施加電壓形成電場，結構簡單且響應速度快。
- 應用場景：示波器、電子顯微鏡等需高精度掃描的設備。

三、核心應用領域 (Key Applications)

顯示技術
CRT顯示器通過周期性掃描偏轉電子束轟擊熒光屏生成圖像（參考：IEEE Transactions on Electron Devices）。

材料分析
掃描電子顯微鏡（SEM）中，偏轉系統控制電子束對樣品表面進行微區掃描（參考：Springer Handbook of Microscopy）。

粒子加速器
磁偏轉器用于引導和聚焦粒子束流，如回旋加速器的束流傳輸系統。

四、相關專業術語對照 (Terminology Reference)

中文術語	英文術語
電子束	Electron Beam
偏轉靈敏度	Deflection Sensitivity
陰極射線管	Cathode Ray Tube (CRT)
洛倫茲力	Lorentz Force
靜電偏轉闆	Electrostatic Deflection Plates

權威參考來源

電場偏轉公式推導：University Physics, Young & Freedman (14th ed.), Pearson Education.
電磁偏轉系統設計：Handbook of Vacuum Science and Technology, Elsevier.
電子顯微鏡應用：Principles of Electron Optics, Ernst Ruska (Springer).

網絡擴展解釋

電子束偏轉是指電子束在電場或磁場作用下改變運動方向的現象，其原理和應用可從以下方面分析：

一、基本原理

電場偏轉
- 受力機制：電子在電場中受電場力 $F = eE$，方向與電場方向相反。勻強電場中，電子軌迹呈抛物線形，偏轉距離與電場強度成正比。
- 瞬時性：電子進入電場後立即偏轉，響應速度快，常用于示波器等需要實時控制的場景。
磁場偏轉
- 受力機制：電子在磁場中受洛倫茲力 $F = evBsintheta$，方向垂直于速度和磁場方向（左手定則）。勻強磁場中，電子做勻速圓周運動，偏轉角度與磁感應強度和路徑長度相關。
- 累積效應：偏轉需電子在磁場中運動一定距離後才顯著，適用于大角度偏轉需求。

二、核心區别

特征	電場偏轉	磁場偏轉
偏轉軌迹	抛物線	圓弧或螺旋線
響應速度	瞬時	需累積作用
靈敏度調節	調整極闆電壓或間距	調整磁場強度或路徑
典型應用	示波器、顯像管	質譜儀、電視顯像管

三、關鍵公式

電場偏轉靈敏度：
$$delta = frac{Ll}{2dU_a}U_d$$
其中，$L$為偏轉闆長度，$l$為闆到屏幕距離，$d$為闆間距，$U_a$為加速電壓，$U_d$為偏轉電壓。
磁場偏轉半徑：
$$r = frac{mv}{eB}$$
$v$由加速電壓 $U_a$ 決定，即 $v = sqrt{frac{2eU_a}{m}}$。

四、應用場景

顯示技術：示波管、顯像管通過電場或磁場控制電子束掃描屏幕。
科學儀器：質譜儀利用磁場偏轉分離帶電粒子。
工業加工：電子束焊接和刻蝕技術中精确控制束流路徑。

五、實驗驗證

實驗中常通過調節加速電壓、偏轉電壓/電流，觀察熒光屏光點位移，并計算靈敏度。例如，電場偏轉靈敏度與加速電壓成反比，而磁場偏轉靈敏度與磁感應強度成正比。

如需更詳細公式推導或實驗操作步驟，可參考、9中的示例及參數設置。