晶膜電晶體英文解釋翻譯、晶膜電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 epitaxial transistor

分詞翻譯：

晶膜的英語翻譯：

【電】 epitaxial

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

晶膜電晶體（Crystalline Film Transistor）是薄膜晶體管（Thin-Film Transistor, TFT）的一種高級形态，特指采用結晶化半導體材料（如多晶矽、單晶矽或金屬氧化物半導體）作為溝道層的場效應晶體管。其核心特征在于“晶膜”——即具有規則原子排列的薄膜結構，相較于非晶矽（a-Si）TFT，晶膜電晶體具備更高的載流子遷移率和更穩定的電學性能。以下是詳細解釋：

一、術語定義與結構特性

漢英對照解析
- 晶膜（Crystalline Film）：指通過激光退火（如ELA）、固相結晶化（SPC）或外延生長技術形成的結晶态半導體薄膜，例如低溫多晶矽（LTPS）或铟镓鋅氧化物（IGZO）。
- 電晶體（Transistor）：源自晶體管（台灣譯名），此處特指場效應晶體管（FET）結構，包含栅極、源極、漏極及半導體溝道層。
  術語來源：IEEE Electron Devices Society标準術語庫
核心結構
晶膜電晶體的典型結構為“頂栅”或“底栅”設計，其中：
- 栅極絕緣層：二氧化矽（SiO₂）或氮化矽（SiNₓ）薄膜；
- 溝道層：結晶化半導體（如LTPS遷移率可達100 cm²/V·s，遠高于a-Si的<1 cm²/V·s）；
- 電極：钼/鋁/銅金屬堆疊，實現低電阻互聯。

二、性能優勢與應用領域

電學特性
- 高遷移率：晶膜結構減少載流子散射，提升開關速度（例：IGZO TFT遷移率10–50 cm²/V·s）；
- 低功耗：高開關比（ON/OFF Ratio >10⁷）降低靜态電流；
- 均勻性：晶界控制技術改善大面積均勻性，適用于高分辨率面闆。
  數據來源：Nature Electronics《金屬氧化物TFT技術綜述》
主流應用場景
- AMOLED顯示驅動：LTPS-TFT為當前AMOLED主流背闆技術，支撐柔性屏與屏下攝像頭（如三星Galaxy系列）；
- 高刷新率LCD：IGZO-TFT用于高端液晶面闆（如蘋果Pro Display XDR）；
- 新興領域：透明顯示器（铟錫氧化物基TFT）、神經形态計算（氧化物半導體突觸晶體管）。

三、技術演進與産業地位

代際發展：
第一代a-Si TFT → 第二代LTPS-TFT → 第三代金屬氧化物TFT（IGZO, InZnO等）。

産業占比：2023年全球高端顯示面闆中，晶膜電晶體滲透率超75%（DSCC數據）。
挑戰：LTPS成本較高，IGZO量産穩定性仍需優化，MicroLED驅動需進一步微縮化。

權威參考文獻

IEEE EDS術語标準
場效應器件術語定義

Display Supply Chain Consultants (DSCC)
2023顯示技術報告

Nature Electronics
金屬氧化物TFT的進展與挑戰

晶膜電晶體材料特性對比表

材料類型	遷移率 (cm²/V·s)	開關比	主要應用
非晶矽 (a-Si)	0.5–1	10⁶–10⁷	低端LCD
低溫多晶矽 (LTPS)	50–300	>10⁸	AMOLED, 高端LCD
铟镓鋅氧化物 (IGZO)	10–50	>10⁹	4K/8K LCD, 透明屏

數據整合自IEEE、SID及DSCC行業報告

網絡擴展解釋

“晶膜電晶體”是一個專業術語，其英文對應為epitaxial transistor（）。以下是詳細解釋：

1.詞義分解

晶膜：即“外延”（epitaxial），指在半導體基片（如矽或鍺）上通過化學氣相沉積等方式生長出一層單晶薄膜的工藝。這種薄膜與基片晶體結構高度一緻，用于改善器件性能。
電晶體：對應“晶體管”（transistor），是一種利用半導體材料制成的電子元件，用于放大、開關或調制電信號。

2.技術定義

晶膜電晶體屬于外延工藝制造的晶體管。其特點是通過外延層優化電流傳輸效率，常見于高頻、高功率場景，例如射頻放大器、通信設備等（）。這種結構可減少基區電阻，提升器件的頻率響應和功率處理能力。

3.與其他晶體管的區别

普通雙極性晶體管（BJT）：通過摻雜形成PN結，結構簡單但高頻性能受限（）。
場效應晶體管（FET）：通過栅極電壓控制電流，功耗較低（）。
晶膜電晶體：因外延層的高純度單晶特性，適用于需要高頻率、高穩定性的場景。

4.應用領域

高頻電路：如微波通信、雷達系統。
功率器件：用于電力電子設備的開關和穩壓（）。
集成電路：外延工藝在芯片制造中廣泛應用，可提升集成密度和性能（）。

“晶膜電晶體”本質是采用外延技術制造的晶體管，結合了材料科學與電子工程的特性，適用于高性能需求場景。如需進一步了解外延工藝或具體電路設計，可參考半導體器件相關文獻。