電子對互斥理論英文解釋翻譯、電子對互斥理論的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 electron-pair repulsion theory

分詞翻譯：

電子對互斥的英語翻譯：

【化】 electron pair repulsion

理論的英語翻譯：

frame of reference; theoretics; theorization; theory
【化】 Rice-Ramsperger-Kassel theoryRRK; theory
【醫】 rationale; theory

專業解析

電子對互斥理論（Valence Shell Electron Pair Repulsion Theory，簡稱VSEPR理論）是用于預測分子三維空間構型的基礎化學理論，其核心觀點認為：分子中價層電子對（包括成鍵電子對和孤對電子）因同性電荷的相互排斥作用，會盡可能遠離彼此，從而達到能量最低的穩定狀态。

理論核心要點

電子對類型與斥力關系
成鍵電子對（bonding pairs）和孤對電子（lone pairs）均會産生排斥力，但孤對電子因更靠近原子核且占據更大空間，其排斥強度順序為：孤對-孤對 > 孤對-成鍵 > 成鍵-成鍵。例如，水分子（H₂O）中兩對孤對電子導緻鍵角壓縮至104.5°，而非理想四面體結構的109.5°。
幾何構型預測規則
通過計算中心原子的價層電子對數（包括σ鍵和孤對電子），可推導分子基本形狀。例如，4對電子對應四面體（如CH₄），5對對應三角雙錐（如PCl₅）。國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）在《化學術語綱要》中對此有标準化定義。
動态調整機制
當存在多重鍵或電負性差異時，電子雲分布不均會導緻構型微調。例如，CO₂分子中雙鍵的電子雲密度更高，使兩個雙鍵呈180°直線排列。

權威參考文獻

Linus Pauling在《化學鍵的本質》中首次系統闡述電子排斥對分子結構的影響（參考：Pauling L., The Nature of the Chemical Bond, 3rd ed., Cornell University Press）
J.D. Lee《簡明無機化學》第6章詳細列舉了VSEPR的預測流程（參考：Lee J.D., Concise Inorganic Chemistry, Wiley）
PubChem數據庫的分子結構數據佐證了該理論的預測準确性（參考：National Library of Medicine, PubChem Compound Database）

該理論通過量子力學原理與實驗光譜數據的雙重驗證，成為現代化學教育中解釋分子構型的核心工具之一。

網絡擴展解釋

電子對互斥理論（又稱價層電子對互斥理論，簡稱VSEPR理論）是一種用于預測簡單分子或離子幾何構型的化學模型。其核心思想是：中心原子的價層電子對（包括成鍵電子對和孤對電子）因相互排斥作用，會盡可能遠離，以達到能量最低的穩定狀态。

核心原理

電子對排斥順序
孤對電子-孤對電子排斥 > 孤對電子-成鍵電子對排斥 > 成鍵電子對-成鍵電子對排斥。
因此，孤對電子會占據更多空間，導緻鍵角減小（例如H₂O的鍵角小于CH₄的109.5°）。
電子對數與幾何構型
根據中心原子的價層電子對數，可預測分子基本構型：
- 2對電子 → 直線形（鍵角180°）
- 3對電子 → 平面三角形（鍵角120°）
- 4對電子 → 四面體（鍵角109.5°）
- 5對電子 → 三角雙錐形
- 6對電子 → 八面體。
實際分子構型的修正
孤對電子的存在會改變理想構型。例如：
- CH₄（4對成鍵電子）→ 正四面體；
- NH₃（3對成鍵+1對孤對）→ 三角錐形；
- H₂O（2對成鍵+2對孤對）→ V形。

應用步驟

确定中心原子：通常為分子中鍵合原子最多的元素。
計算價層電子對數：
公式：
$$text{價層電子對數} = frac{text{中心原子價電子數} + text{配位原子貢獻的電子數} pm text{離子電荷數}}{2}$$
例如，SO₄²⁻中S的價層電子對數為：
$$frac{6 + 0 + 2}{2} = 4 quad (text{四面體構型})$$。

意義與局限性

意義：快速預測分子形狀和鍵角，解釋雜化軌道理論難以判斷的構型。
局限性：僅適用于主族元素形成的簡單分子（如ABₙ型），無法解釋過渡金屬化合物或涉及共振結構的分子。

如需進一步了解具體分子構型實例（如CO₂、SF₆等），可參考中的圖示和鍵角數據。