电子对互斥理论英文解释翻译、电子对互斥理论的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 electron-pair repulsion theory

分词翻译：

电子对互斥的英语翻译：

【化】 electron pair repulsion

理论的英语翻译：

frame of reference; theoretics; theorization; theory
【化】 Rice-Ramsperger-Kassel theoryRRK; theory
【医】 rationale; theory

专业解析

电子对互斥理论（Valence Shell Electron Pair Repulsion Theory，简称VSEPR理论）是用于预测分子三维空间构型的基础化学理论，其核心观点认为：分子中价层电子对（包括成键电子对和孤对电子）因同性电荷的相互排斥作用，会尽可能远离彼此，从而达到能量最低的稳定状态。

理论核心要点

电子对类型与斥力关系
成键电子对（bonding pairs）和孤对电子（lone pairs）均会产生排斥力，但孤对电子因更靠近原子核且占据更大空间，其排斥强度顺序为：孤对-孤对 > 孤对-成键 > 成键-成键。例如，水分子（H₂O）中两对孤对电子导致键角压缩至104.5°，而非理想四面体结构的109.5°。
几何构型预测规则
通过计算中心原子的价层电子对数（包括σ键和孤对电子），可推导分子基本形状。例如，4对电子对应四面体（如CH₄），5对对应三角双锥（如PCl₅）。国际纯粹与应用化学联合会（IUPAC）在《化学术语纲要》中对此有标准化定义。
动态调整机制
当存在多重键或电负性差异时，电子云分布不均会导致构型微调。例如，CO₂分子中双键的电子云密度更高，使两个双键呈180°直线排列。

权威参考文献

Linus Pauling在《化学键的本质》中首次系统阐述电子排斥对分子结构的影响（参考：Pauling L., The Nature of the Chemical Bond, 3rd ed., Cornell University Press）
J.D. Lee《简明无机化学》第6章详细列举了VSEPR的预测流程（参考：Lee J.D., Concise Inorganic Chemistry, Wiley）
PubChem数据库的分子结构数据佐证了该理论的预测准确性（参考：National Library of Medicine, PubChem Compound Database）

该理论通过量子力学原理与实验光谱数据的双重验证，成为现代化学教育中解释分子构型的核心工具之一。

网络扩展解释

电子对互斥理论（又称价层电子对互斥理论，简称VSEPR理论）是一种用于预测简单分子或离子几何构型的化学模型。其核心思想是：中心原子的价层电子对（包括成键电子对和孤对电子）因相互排斥作用，会尽可能远离，以达到能量最低的稳定状态。

核心原理

电子对排斥顺序
孤对电子-孤对电子排斥 > 孤对电子-成键电子对排斥 > 成键电子对-成键电子对排斥。
因此，孤对电子会占据更多空间，导致键角减小（例如H₂O的键角小于CH₄的109.5°）。
电子对数与几何构型
根据中心原子的价层电子对数，可预测分子基本构型：
- 2对电子 → 直线形（键角180°）
- 3对电子 → 平面三角形（键角120°）
- 4对电子 → 四面体（键角109.5°）
- 5对电子 → 三角双锥形
- 6对电子 → 八面体。
实际分子构型的修正
孤对电子的存在会改变理想构型。例如：
- CH₄（4对成键电子）→ 正四面体；
- NH₃（3对成键+1对孤对）→ 三角锥形；
- H₂O（2对成键+2对孤对）→ V形。

应用步骤

确定中心原子：通常为分子中键合原子最多的元素。
计算价层电子对数：
公式：
$$text{价层电子对数} = frac{text{中心原子价电子数} + text{配位原子贡献的电子数} pm text{离子电荷数}}{2}$$
例如，SO₄²⁻中S的价层电子对数为：
$$frac{6 + 0 + 2}{2} = 4 quad (text{四面体构型})$$。

意义与局限性

意义：快速预测分子形状和键角，解释杂化轨道理论难以判断的构型。
局限性：仅适用于主族元素形成的简单分子（如ABₙ型），无法解释过渡金属化合物或涉及共振结构的分子。

如需进一步了解具体分子构型实例（如CO₂、SF₆等），可参考中的图示和键角数据。