點陣缺陷英文解釋翻譯、點陣缺陷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 lattice defects; lattice imperfections

分詞翻譯：

點的英語翻譯：

a little; dot; drop; feature; particle; point; spot
【計】 distributing point; dot; PT
【醫】 point; puncta; punctum; spot
【經】 point; pt

陣的英語翻譯：

a period of time; battle array; blast; front
【機】 array

缺陷的英語翻譯：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

專業解析

點陣缺陷（lattice defect）是晶體學與材料科學中的核心概念，指晶體結構中原子排列的局部不規則性。根據維基百科晶體缺陷詞條，其本質是原子偏離理想晶格位置導緻的微觀結構變化，直接影響材料的物理化學性質。

從漢英詞典角度解析：

點缺陷（Point Defect）
包括空位（vacancy）、間隙原子（interstitial atom）和置換原子（substitutional atom）。例如，半導體矽中的磷原子摻雜屬于置換缺陷，參考《材料科學基礎》（Callister, Materials Science and Engineering）。
線缺陷（Line Defect）
即位錯（dislocation），分為刃型位錯（edge dislocation）和螺型位錯（screw dislocation）。美國物理學會期刊《Physical Review B》指出，位錯運動是金屬塑性變形的核心機制。
面缺陷（Planar Defect）
包含晶界（grain boundary）和堆垛層錯（stacking fault）。《自然·材料》研究顯示，納米材料中晶界密度與材料強度呈Hall-Petch關系。
體缺陷（Volume Defect）
如孔洞（void）和沉澱相（precipitate）。《冶金學報》記載，鋁合金中納米級沉澱相可提升材料硬度。

工程應用方面，點陣缺陷調控已成為半導體器件制造（如摻雜工藝）和金屬強化技術（如位錯釘紮）的理論基礎，相關标準可參考ASTM E112晶粒度測定方法。

網絡擴展解釋

點陣缺陷（或稱晶體缺陷）是晶體中原子排列偏離理想周期性結構的區域，廣泛存在于實際晶體中，對材料的物理和化學性質有重要影響。以下是其詳細解釋：

一、定義與分類

點陣缺陷指晶體點陣結構中周期性勢場的畸變，可分為三類：

點缺陷（零維缺陷）：三維尺寸均微小，如空位、間隙原子、雜質原子等。
線缺陷（一維缺陷）：如位錯，沿某一方向延伸。
面缺陷（二維缺陷）：如晶界、相界面等。

二、點缺陷的詳細解析

作為最常見的晶體缺陷，點缺陷主要包括以下類型和特性：

1.基本類型

空位：原子脫離晶格結點形成的空缺位置。
間隙原子：原子擠入晶格間隙中（如弗倫克爾缺陷：空位與間隙原子同時存在）。
雜質原子：外來原子占據晶格結點（替位）或間隙（間隙雜質）。

2.形成機制

熱振動導緻：原子通過熱振動獲得足夠能量脫離平衡位置，形成空位或間隙原子。
兩種典型模型：
- 肖特基缺陷：原子遷移至晶體表面，僅形成空位。
- 弗倫克爾缺陷：原子進入間隙位置，同時産生空位和間隙原子。

3.動态特性

點缺陷在晶體中并非靜止，而是不斷運動。例如空位可通過鄰近原子跳躍遷移，達到動态平衡。

三、研究意義

點陣缺陷的存在顯著影響材料性能：

物理性質：如導電性（雜質原子改變半導體性能）、擴散速率（空位促進原子遷移）。
機械性能：位錯影響材料的塑性和強度。
材料改性：通過控制缺陷類型和密度優化材料性能。

四、示例公式

平衡狀态下空位濃度（$C_v$）與溫度的關系可表示為： $$ C_v = expleft(-frac{E_f}{k_B T}right) $$ 其中，$E_f$為空位形成能，$k_B$為玻爾茲曼常數，$T$為熱力學溫度。

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