点阵缺陷英文解释翻译、点阵缺陷的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 lattice defects; lattice imperfections

分词翻译：

点的英语翻译：

a little; dot; drop; feature; particle; point; spot
【计】 distributing point; dot; PT
【医】 point; puncta; punctum; spot
【经】 point; pt

阵的英语翻译：

a period of time; battle array; blast; front
【机】 array

缺陷的英语翻译：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【医】 defect; vitium
【经】 defective

专业解析

点阵缺陷（lattice defect）是晶体学与材料科学中的核心概念，指晶体结构中原子排列的局部不规则性。根据维基百科晶体缺陷词条，其本质是原子偏离理想晶格位置导致的微观结构变化，直接影响材料的物理化学性质。

从汉英词典角度解析：

点缺陷（Point Defect）
包括空位（vacancy）、间隙原子（interstitial atom）和置换原子（substitutional atom）。例如，半导体硅中的磷原子掺杂属于置换缺陷，参考《材料科学基础》（Callister, Materials Science and Engineering）。
线缺陷（Line Defect）
即位错（dislocation），分为刃型位错（edge dislocation）和螺型位错（screw dislocation）。美国物理学会期刊《Physical Review B》指出，位错运动是金属塑性变形的核心机制。
面缺陷（Planar Defect）
包含晶界（grain boundary）和堆垛层错（stacking fault）。《自然·材料》研究显示，纳米材料中晶界密度与材料强度呈Hall-Petch关系。
体缺陷（Volume Defect）
如孔洞（void）和沉淀相（precipitate）。《冶金学报》记载，铝合金中纳米级沉淀相可提升材料硬度。

工程应用方面，点阵缺陷调控已成为半导体器件制造（如掺杂工艺）和金属强化技术（如位错钉扎）的理论基础，相关标准可参考ASTM E112晶粒度测定方法。

网络扩展解释

点阵缺陷（或称晶体缺陷）是晶体中原子排列偏离理想周期性结构的区域，广泛存在于实际晶体中，对材料的物理和化学性质有重要影响。以下是其详细解释：

一、定义与分类

点阵缺陷指晶体点阵结构中周期性势场的畸变，可分为三类：

点缺陷（零维缺陷）：三维尺寸均微小，如空位、间隙原子、杂质原子等。
线缺陷（一维缺陷）：如位错，沿某一方向延伸。
面缺陷（二维缺陷）：如晶界、相界面等。

二、点缺陷的详细解析

作为最常见的晶体缺陷，点缺陷主要包括以下类型和特性：

1.基本类型

空位：原子脱离晶格结点形成的空缺位置。
间隙原子：原子挤入晶格间隙中（如弗伦克尔缺陷：空位与间隙原子同时存在）。
杂质原子：外来原子占据晶格结点（替位）或间隙（间隙杂质）。

2.形成机制

热振动导致：原子通过热振动获得足够能量脱离平衡位置，形成空位或间隙原子。
两种典型模型：
- 肖特基缺陷：原子迁移至晶体表面，仅形成空位。
- 弗伦克尔缺陷：原子进入间隙位置，同时产生空位和间隙原子。

3.动态特性

点缺陷在晶体中并非静止，而是不断运动。例如空位可通过邻近原子跳跃迁移，达到动态平衡。

三、研究意义

点阵缺陷的存在显著影响材料性能：

物理性质：如导电性（杂质原子改变半导体性能）、扩散速率（空位促进原子迁移）。
机械性能：位错影响材料的塑性和强度。
材料改性：通过控制缺陷类型和密度优化材料性能。

四、示例公式

平衡状态下空位浓度（$C_v$）与温度的关系可表示为： $$ C_v = expleft(-frac{E_f}{k_B T}right) $$ 其中，$E_f$为空位形成能，$k_B$为玻尔兹曼常数，$T$为热力学温度。

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