
【電】 breakover
在電子工程領域,"導通"指電子器件或電路在特定條件下允許電流通過的工作狀态。根據《新漢英電工電子技術詞典》定義,其核心特征包含以下三方面:
阈值條件觸發 導體或半導體器件(如二極管、晶閘管)需達到門限電壓(Threshold Voltage)才能形成導電通路,該參數在矽二極管中典型值為0.7V。國際電工委員會(IEC)标準60617-6将此狀态定義為正向偏置模式。
動态阻抗特性 導通時器件呈現低阻抗特性,如MOSFET在飽和區的導通電阻可低至毫歐級。美國電氣電子工程師協會(IEEE)期刊研究顯示,第三代半導體材料的導通損耗比傳統矽基器件降低40%以上。
應用場景映射 該術語對應英文"turn-on"或"conducting state",常見于電力電子換流器、開關電源等場景。清華大學《電力電子技術》教材指出,IGBT的導通時序控制精度直接影響變頻器效率。
典型應用案例包括:整流電路中二極管的正向導通、三極管的飽和導通狀态,以及繼電器觸點的閉合導通。這些工作狀态的參數指标均收錄于GB/T 2900.33-2004《電工術語 電力電子技術》國家标準。
“導通”是一個多領域技術術語,其核心含義是“形成通路,允許電流、信號或物質通過”。以下是不同場景下的具體解釋:
電子工程領域
指半導體器件(如二極管、晶體管)在特定條件下允許電流通過的狀态。例如:
電力電子領域
涉及大功率器件的工作狀态:
機械/流體系統
指閥門、管道等物理通道的暢通狀态,例如:
關鍵特性:
導通狀态與關斷狀态共同構成開關器件的核心功能,廣泛應用于電路控制、能量傳輸、信號調節等場景。理解導通機制對電子設計、電力系統優化等至關重要。
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