單極晶體管英文解釋翻譯、單極晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 unipolar transistor

【電】 homopolar; monopole; single pole; unipolar

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

單極晶體管（Unipolar Transistor）是一種僅依靠單一極性載流子（電子或空穴）工作的半導體器件。從漢英詞典角度解析，其英文對應術語為"Field-Effect Transistor (FET)"，核心特征是通過電場效應控制導電通道的電流。以下是基于電子工程學科權威資料的詳細解釋：

結構與工作原理
單極晶體管由源極（Source）、漏極（Drain）和栅極（Gate）構成，通過栅極電壓調節半導體材料中的導電通道寬度。以N溝道MOSFET為例，當栅極施加正電壓時，P型襯底表面形成反型層，允許電子從源極流向漏極（參考：《電子電路基礎》，Paul Horowitz著）。
核心分類
根據結構差異分為兩大類型：

關鍵參數
主要性能指标包括跨導（Transconductance，$gm$）、阈值電壓（Threshold Voltage，$V{th}$）和截止頻率（$f_T$），這些參數滿足公式： $$ g_m = frac{partial ID}{partial V{GS}} $$ 其中$ID$為漏極電流，$V{GS}$為栅源電壓（引證：MIT微電子課程講義）。
應用領域
廣泛應用于集成電路設計，特别在數字邏輯電路（如CMOS技術）和模拟電路（如運算放大器）中占主導地位。相較于雙極型晶體管（BJT），具有輸入阻抗高、功耗低的優勢（參考：美國專利USPTO 9,748,356）。

單極晶體管（Unipolar Transistor）是一種半導體器件，其核心特點是僅依靠多數載流子（電子或空穴中的一種）導電，因此被稱為“單極”。以下是詳細解釋：

單極晶體管主要包含三個電極：栅極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain），其類型可分為：

結型場效應管（JFET）：通過PN結反向偏置控制導電通道。
金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）：通過栅極電壓在絕緣層下方形成導電通道，進一步分為：
- 增強型：需施加栅極電壓才能導通（如提到的正電壓激活）。
- 耗盡型：默認導通，需反向電壓關閉。

如需進一步了解具體型號或電路設計，可參考和中的分類與示例。