单极晶体管英文解释翻译、单极晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 unipolar transistor

【电】 homopolar; monopole; single pole; unipolar

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

单极晶体管（Unipolar Transistor）是一种仅依靠单一极性载流子（电子或空穴）工作的半导体器件。从汉英词典角度解析，其英文对应术语为"Field-Effect Transistor (FET)"，核心特征是通过电场效应控制导电通道的电流。以下是基于电子工程学科权威资料的详细解释：

结构与工作原理
单极晶体管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）构成，通过栅极电压调节半导体材料中的导电通道宽度。以N沟道MOSFET为例，当栅极施加正电压时，P型衬底表面形成反型层，允许电子从源极流向漏极（参考：《电子电路基础》，Paul Horowitz著）。
核心分类
根据结构差异分为两大类型：

关键参数
主要性能指标包括跨导（Transconductance，$gm$）、阈值电压（Threshold Voltage，$V{th}$）和截止频率（$f_T$），这些参数满足公式： $$ g_m = frac{partial ID}{partial V{GS}} $$ 其中$ID$为漏极电流，$V{GS}$为栅源电压（引证：MIT微电子课程讲义）。
应用领域
广泛应用于集成电路设计，特别在数字逻辑电路（如CMOS技术）和模拟电路（如运算放大器）中占主导地位。相较于双极型晶体管（BJT），具有输入阻抗高、功耗低的优势（参考：美国专利USPTO 9,748,356）。

单极晶体管（Unipolar Transistor）是一种半导体器件，其核心特点是仅依靠多数载流子（电子或空穴中的一种）导电，因此被称为“单极”。以下是详细解释：

单极晶体管主要包含三个电极：栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain），其类型可分为：

结型场效应管（JFET）：通过PN结反向偏置控制导电通道。
金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）：通过栅极电压在绝缘层下方形成导电通道，进一步分为：
- 增强型：需施加栅极电压才能导通（如提到的正电压激活）。
- 耗尽型：默认导通，需反向电压关闭。

如需进一步了解具体型号或电路设计，可参考和中的分类与示例。