氮化矽工藝英文解釋翻譯、氮化矽工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 silicon nitride process

【化】 azotizing
【醫】 azotize; nitridation; nitrogenization

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

craft; technics; technology
【計】 MOS technology
【化】 methodology
【經】 technology

氮化矽工藝（Silicon Nitride Process）是一種應用于半導體制造、陶瓷工程及材料科學領域的關鍵技術，其核心是通過化學反應或物理沉積形成氮化矽（Si₃N₄）薄膜或體材料。該工藝的主要作用包括絕緣保護、機械強化和高溫穩定性提升。

氮化矽（Si₃N₄）是由矽（Si）和氮（N）通過高溫反應合成的陶瓷材料，化學式為： $$ Si + N_2 xrightarrow{1200^circ C} Si_3N_4 $$ 其工藝涵蓋化學氣相沉積（CVD）、低壓化學氣相沉積（LPCVD）和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）等技術。

氮化矽工藝是指制備氮化矽（Si₃N₄）材料或薄膜的一系列技術方法，主要分為體材料燒結工藝和薄膜沉積工藝兩大類，具體如下：

反應燒結法
- 原理：将矽粉或矽與氮化矽混合成型後，在氮氣中分階段加熱（1150-1200℃預氮化，再升至1350-1450℃完成反應），通過矽與氮氣直接反應生成氮化矽（3Si + 2N₂ → Si₃N₄）。
- 特點：可制造複雜形狀零件，燒結過程體積穩定，但材料緻密度較低，機械性能中等。
熱壓燒結法
- 原理：将氮化矽粉末與添加劑（如MgO、Al₂O₃）在高溫（約1800℃）和高壓（15-30MPa）下直接壓制成型。
- 特點：材料緻密度高、強度優異，但設備成本高，僅適合簡單形狀制品。
氣壓燒結法
- 原理：在高壓氮氣（5-12MPa）和高溫（1800-2100℃）下燒結，抑制氮化矽分解，促進緻密化。
- 特點：可選用高熔點助燒劑，提升材料高溫性能，適合高性能需求場景。

化學氣相沉積（CVD）
- 原理：通過矽烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在300-800℃下反應生成氮化矽薄膜（3SiH₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12H₂↑），等離子體增強技術（PECVD）可降低反應溫度。
- 應用：用于半導體器件絕緣層、光學鍍膜等。
GPS工藝（高頻反應等離子體CVD）
- 原理：利用高頻電場激發等離子體，增強反應氣體活性，實現低溫高效沉積。
- 特點：薄膜純度高、附着力強，適用于精密電子元件。

工藝類型	優點	缺點	典型應用場景
反應燒結法	成本低，形狀複雜	緻密度低	機械零件、耐腐蝕部件
熱壓燒結法	高強度、高緻密	設備昂貴	刀具、軸承
CVD/PECVD	薄膜均勻、低溫沉積	設備複雜	半導體、光學鍍膜

如需完整信息，可參考相關學術文獻或技術手冊（來源：、4、9等）。