氮化硅工艺英文解释翻译、氮化硅工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 silicon nitride process

【化】 azotizing
【医】 azotize; nitridation; nitrogenization

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

craft; technics; technology
【计】 MOS technology
【化】 methodology
【经】 technology

氮化硅工艺（Silicon Nitride Process）是一种应用于半导体制造、陶瓷工程及材料科学领域的关键技术，其核心是通过化学反应或物理沉积形成氮化硅（Si₃N₄）薄膜或体材料。该工艺的主要作用包括绝缘保护、机械强化和高温稳定性提升。

氮化硅（Si₃N₄）是由硅（Si）和氮（N）通过高温反应合成的陶瓷材料，化学式为： $$ Si + N_2 xrightarrow{1200^circ C} Si_3N_4 $$ 其工艺涵盖化学气相沉积（CVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等技术。

氮化硅工艺是指制备氮化硅（Si₃N₄）材料或薄膜的一系列技术方法，主要分为体材料烧结工艺和薄膜沉积工艺两大类，具体如下：

反应烧结法
- 原理：将硅粉或硅与氮化硅混合成型后，在氮气中分阶段加热（1150-1200℃预氮化，再升至1350-1450℃完成反应），通过硅与氮气直接反应生成氮化硅（3Si + 2N₂ → Si₃N₄）。
- 特点：可制造复杂形状零件，烧结过程体积稳定，但材料致密度较低，机械性能中等。
热压烧结法
- 原理：将氮化硅粉末与添加剂（如MgO、Al₂O₃）在高温（约1800℃）和高压（15-30MPa）下直接压制成型。
- 特点：材料致密度高、强度优异，但设备成本高，仅适合简单形状制品。
气压烧结法
- 原理：在高压氮气（5-12MPa）和高温（1800-2100℃）下烧结，抑制氮化硅分解，促进致密化。
- 特点：可选用高熔点助烧剂，提升材料高温性能，适合高性能需求场景。

化学气相沉积（CVD）
- 原理：通过硅烷（SiH₄）与氨气（NH₃）在300-800℃下反应生成氮化硅薄膜（3SiH₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12H₂↑），等离子体增强技术（PECVD）可降低反应温度。
- 应用：用于半导体器件绝缘层、光学镀膜等。
GPS工艺（高频反应等离子体CVD）
- 原理：利用高频电场激发等离子体，增强反应气体活性，实现低温高效沉积。
- 特点：薄膜纯度高、附着力强，适用于精密电子元件。

工艺类型	优点	缺点	典型应用场景
反应烧结法	成本低，形状复杂	致密度低	机械零件、耐腐蚀部件
热压烧结法	高强度、高致密	设备昂贵	刀具、轴承
CVD/PECVD	薄膜均匀、低温沉积	设备复杂	半导体、光学镀膜

如需完整信息，可参考相关学术文献或技术手册（来源：、4、9等）。