氮化矽薄膜英文解釋翻譯、氮化矽薄膜的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 silicon nitride film

分詞翻譯：

氮化的英語翻譯：

【化】 azotizing
【醫】 azotize; nitridation; nitrogenization

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

薄膜的英語翻譯：

film; membrane; pellicle
【計】 thin membrane; thin-film
【醫】 film

專業解析

氮化矽薄膜（Silicon Nitride Thin Film）是一種由矽（Si）和氮（N）元素組成的無機非金屬材料，化學式為Si₃N₄。該材料以納米至微米級厚度沉積在基體表面，因其獨特的物理化學性質被廣泛應用于半導體、微電子、光學塗層及機械工程等領域。

從材料特性角度，氮化矽薄膜具有以下核心屬性：

高硬度與耐磨性：顯微硬度可達18-20 GPa，優于大多數金屬材料（來源：《先進功能材料》期刊）；
優異的熱穩定性：在1200°C高溫下仍保持結構完整性（來源：美國化學學會出版物）；
介電性能突出：介電常數約為7.5，適用于集成電路中的絕緣層（來源：《電子材料學報》）；
化學惰性：耐酸堿腐蝕，可在惡劣環境中作為保護塗層（來源：國際材料研究學會會議論文集）。

在工程應用中，氮化矽薄膜主要通過化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）工藝制備。例如，半導體行業利用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術生成低應力薄膜，用于晶圓制造的鈍化層和掩膜材料。近期研究還表明，該材料在生物傳感器和太陽能電池中的透明導電膜領域展現出潛力（來源：Springer材料科學叢書）。

網絡擴展解釋

氮化矽薄膜是一種由矽和氮元素組成的非金屬化合物薄膜，具有優異的物理、化學和電學性能，廣泛應用于集成電路、光電子器件、MEMS等領域。以下從多個維度綜合說明其特性與應用：

一、基本性質

結構與化學特性
氮化矽薄膜通常以無定型或微晶結構存在（），Si-N鍵具有強共價性，賦予其高機械強度和熱穩定性。薄膜表面緻密光滑，晶粒分布均勻，能有效覆蓋基底（）。
光學性質
- 透光性：薄膜在可見光及近紅外波段具有良好透光性，可通過調節制備參數優化光學透過率（）。
- 折射率：折射率約為2.0，適合用作光波導材料和抗反射塗層（）。
電學性質
- 絕緣性能：電阻率高達10¹²Ω·cm，且對鈉離子（Na⁺）有強阻擋能力，能捕獲雜質離子（）。
- 介電常數：可通過工藝調控，適應不同器件的電學需求（）。

二、應用領域

集成電路
- 作為表面鈍化保護膜、層間絕緣層及擴散/刻蝕掩膜（）；
- 用于MOS器件場區氧化掩膜，防止堿金屬離子滲透（）。
光電子器件
用于光學窗口、光波導及抗反射塗層，提升光電設備的光捕獲效率（）。
機械防護
高硬度和耐磨性使其適用于耐磨塗層和MEMS器件的機械保護（）。

三、制備方法

CVD技術
- LPCVD（低壓化學氣相沉積）：高溫（約800℃）下生成更緻密的薄膜，氫含量低，適合高性能器件（）；
- PECVD（等離子增強化學氣相沉積）：低溫（約400℃）沉積，適用于熱敏感基底（）。
應力調控
通過調整反應氣體比例和工藝參數，可實現薄膜的張應力或壓應力，優化器件可靠性（）。

四、總結

氮化矽薄膜因其獨特的綜合性能，成為半導體工業和光電子領域的關鍵材料。未來研發方向可能聚焦于更低成本的制備工藝和更高精度的性能調控（）。如需更詳細的技術參數或應用案例，可參考、4、8等來源。