氮化硅薄膜英文解释翻译、氮化硅薄膜的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 silicon nitride film

分词翻译：

氮化的英语翻译：

【化】 azotizing
【医】 azotize; nitridation; nitrogenization

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

薄膜的英语翻译：

film; membrane; pellicle
【计】 thin membrane; thin-film
【医】 film

专业解析

氮化硅薄膜（Silicon Nitride Thin Film）是一种由硅（Si）和氮（N）元素组成的无机非金属材料，化学式为Si₃N₄。该材料以纳米至微米级厚度沉积在基体表面，因其独特的物理化学性质被广泛应用于半导体、微电子、光学涂层及机械工程等领域。

从材料特性角度，氮化硅薄膜具有以下核心属性：

高硬度与耐磨性：显微硬度可达18-20 GPa，优于大多数金属材料（来源：《先进功能材料》期刊）；
优异的热稳定性：在1200°C高温下仍保持结构完整性（来源：美国化学学会出版物）；
介电性能突出：介电常数约为7.5，适用于集成电路中的绝缘层（来源：《电子材料学报》）；
化学惰性：耐酸碱腐蚀，可在恶劣环境中作为保护涂层（来源：国际材料研究学会会议论文集）。

在工程应用中，氮化硅薄膜主要通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）工艺制备。例如，半导体行业利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术生成低应力薄膜，用于晶圆制造的钝化层和掩膜材料。近期研究还表明，该材料在生物传感器和太阳能电池中的透明导电膜领域展现出潜力（来源：Springer材料科学丛书）。

网络扩展解释

氮化硅薄膜是一种由硅和氮元素组成的非金属化合物薄膜，具有优异的物理、化学和电学性能，广泛应用于集成电路、光电子器件、MEMS等领域。以下从多个维度综合说明其特性与应用：

一、基本性质

结构与化学特性
氮化硅薄膜通常以无定型或微晶结构存在（），Si-N键具有强共价性，赋予其高机械强度和热稳定性。薄膜表面致密光滑，晶粒分布均匀，能有效覆盖基底（）。
光学性质
- 透光性：薄膜在可见光及近红外波段具有良好透光性，可通过调节制备参数优化光学透过率（）。
- 折射率：折射率约为2.0，适合用作光波导材料和抗反射涂层（）。
电学性质
- 绝缘性能：电阻率高达10¹²Ω·cm，且对钠离子（Na⁺）有强阻挡能力，能捕获杂质离子（）。
- 介电常数：可通过工艺调控，适应不同器件的电学需求（）。

二、应用领域

集成电路
- 作为表面钝化保护膜、层间绝缘层及扩散/刻蚀掩膜（）；
- 用于MOS器件场区氧化掩膜，防止碱金属离子渗透（）。
光电子器件
用于光学窗口、光波导及抗反射涂层，提升光电设备的光捕获效率（）。
机械防护
高硬度和耐磨性使其适用于耐磨涂层和MEMS器件的机械保护（）。

三、制备方法

CVD技术
- LPCVD（低压化学气相沉积）：高温（约800℃）下生成更致密的薄膜，氢含量低，适合高性能器件（）；
- PECVD（等离子增强化学气相沉积）：低温（约400℃）沉积，适用于热敏感基底（）。
应力调控
通过调整反应气体比例和工艺参数，可实现薄膜的张应力或压应力，优化器件可靠性（）。

四、总结

氮化硅薄膜因其独特的综合性能，成为半导体工业和光电子领域的关键材料。未来研发方向可能聚焦于更低成本的制备工艺和更高精度的性能调控（）。如需更详细的技术参数或应用案例，可参考、4、8等来源。