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存取周期英文解釋翻譯、存取周期的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 AC; access cycle; store access cycle

分詞翻譯:

存的英語翻譯:

accumulate; deposit; exist; keep; live

取周期的英語翻譯:

【計】 fetch cycle

專業解析

在電子工程和計算機科學領域,"存取周期"(Access Cycle)是存儲器操作的核心時序參數,指存儲器完成一次完整的讀寫操作所需的最短時間周期。它包含從啟動操作(如地址建立)到數據穩定或寫入完成,并準備好下一次操作的全過程。以下是詳細解釋:


一、核心定義與技術内涵

  1. 基本概念

    "存取周期"指存儲器從發起存取請求到準備好下一次操作的最小時間間隔。例如,CPU發出地址信號後,需等待存取周期結束才能進行下一次讀寫操作。其英文術語為"Access Cycle" 或"Memory Cycle Time",常見于動态隨機存取存儲器(DRAM)的技術文檔中。

  2. 時序階段分解

    一個完整的存取周期通常包含以下子階段:

    • 地址建立時間(Address Setup):地址信號穩定至讀寫命令發出的時間。
    • 讀寫脈沖寬度(Read/Write Pulse):執行數據讀取或寫入的持續時間。
    • 數據輸出延遲(Output Delay):讀取時數據從存儲單元傳輸至總線的延遲。
    • 預充電時間(Precharge):DRAM中為下一次操作重置存儲單元狀态的時間。

二、與相關術語的區分

示例對比:

某DRAM芯片的存取時間(Access Time)為 50ns,但因需要預充電,其存取周期(Cycle Time)可能達 70ns。這意味着即使數據已就緒(50ns),仍需等待額外 20ns 才能啟動下一次操作。


三、實際應用與性能影響

存取周期直接決定存儲器的最大操作頻率。例如:


四、權威參考來源

  1. 《計算機組成與設計:硬件/軟件接口》(David A. Patterson, John L. Hennessy)

    定義存儲器時序參數,強調存取周期對系統性能的瓶頸效應。

    查看書籍詳情(MIT Press)

  2. IEEE标準術語庫(IEEE Std 100)

    明确區分 "Access Time" 與 "Cycle Time",規範工程術語使用。

    IEEE标準線上訪問

  3. 美光科技(Micron)DRAM技術文檔

    以實際芯片(如 DDR4 SDRAM)為例,說明存取周期的測量方法及時序約束。

    美光DRAM産品技術手冊


五、漢英對照關鍵術語

中文 英文 定義簡述
存取周期 Access Cycle 連續兩次存儲器操作的最小時間間隔
存取時間 Access Time 從操作啟動到數據就緒的時間
預充電 Precharge DRAM存儲單元重置為待機狀态的過程
時序參數 Timing Parameters 規定存儲器操作時間邊界的指标

通過上述分解,可系統理解"存取周期"在數字系統設計中的核心作用及其與相關概念的邏輯關聯。

網絡擴展解釋

存取周期(Store Access Cycle)是計算機存儲器領域的重要概念,主要用于衡量存儲器的性能。以下是詳細解釋:

1.基本定義

存取周期指存儲器連續啟動兩次獨立的“讀”或“寫”操作所需的最短時間間隔。例如,完成一次讀操作後,必須等待一段時間才能進行下一次讀或寫操作,這段等待時間即為存取周期。

2.與訪問時間的區别

3.技術特性

4.常見誤區

5.實際意義

存取周期是衡量存儲器性能的核心指标,直接影響計算機系統的運行速度。較短的存取周期意味着更高的數據吞吐效率。

如需進一步了解存儲器的讀寫機制或具體技術參數,可參考計算機組成原理相關教材或權威百科(如、5)。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

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