
【计】 AC; access cycle; store access cycle
在电子工程和计算机科学领域,"存取周期"(Access Cycle)是存储器操作的核心时序参数,指存储器完成一次完整的读写操作所需的最短时间周期。它包含从启动操作(如地址建立)到数据稳定或写入完成,并准备好下一次操作的全过程。以下是详细解释:
基本概念
"存取周期"指存储器从发起存取请求到准备好下一次操作的最小时间间隔。例如,CPU发出地址信号后,需等待存取周期结束才能进行下一次读写操作。其英文术语为"Access Cycle" 或"Memory Cycle Time",常见于动态随机存取存储器(DRAM)的技术文档中。
时序阶段分解
一个完整的存取周期通常包含以下子阶段:
示例对比:
某DRAM芯片的存取时间(Access Time)为 50ns,但因需要预充电,其存取周期(Cycle Time)可能达 70ns。这意味着即使数据已就绪(50ns),仍需等待额外 20ns 才能启动下一次操作。
存取周期直接决定存储器的最大操作频率。例如:
《计算机组成与设计:硬件/软件接口》(David A. Patterson, John L. Hennessy)
定义存储器时序参数,强调存取周期对系统性能的瓶颈效应。
IEEE标准术语库(IEEE Std 100)
明确区分 "Access Time" 与 "Cycle Time",规范工程术语使用。
美光科技(Micron)DRAM技术文档
以实际芯片(如 DDR4 SDRAM)为例,说明存取周期的测量方法及时序约束。
中文 | 英文 | 定义简述 |
---|---|---|
存取周期 | Access Cycle | 连续两次存储器操作的最小时间间隔 |
存取时间 | Access Time | 从操作启动到数据就绪的时间 |
预充电 | Precharge | DRAM存储单元重置为待机状态的过程 |
时序参数 | Timing Parameters | 规定存储器操作时间边界的指标 |
通过上述分解,可系统理解"存取周期"在数字系统设计中的核心作用及其与相关概念的逻辑关联。
存取周期(Store Access Cycle)是计算机存储器领域的重要概念,主要用于衡量存储器的性能。以下是详细解释:
存取周期指存储器连续启动两次独立的“读”或“写”操作所需的最短时间间隔。例如,完成一次读操作后,必须等待一段时间才能进行下一次读或写操作,这段等待时间即为存取周期。
存取周期是衡量存储器性能的核心指标,直接影响计算机系统的运行速度。较短的存取周期意味着更高的数据吞吐效率。
如需进一步了解存储器的读写机制或具体技术参数,可参考计算机组成原理相关教材或权威百科(如、5)。
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