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存取周期英文解释翻译、存取周期的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 AC; access cycle; store access cycle

分词翻译:

存的英语翻译:

accumulate; deposit; exist; keep; live

取周期的英语翻译:

【计】 fetch cycle

专业解析

在电子工程和计算机科学领域,"存取周期"(Access Cycle)是存储器操作的核心时序参数,指存储器完成一次完整的读写操作所需的最短时间周期。它包含从启动操作(如地址建立)到数据稳定或写入完成,并准备好下一次操作的全过程。以下是详细解释:


一、核心定义与技术内涵

  1. 基本概念

    "存取周期"指存储器从发起存取请求到准备好下一次操作的最小时间间隔。例如,CPU发出地址信号后,需等待存取周期结束才能进行下一次读写操作。其英文术语为"Access Cycle" 或"Memory Cycle Time",常见于动态随机存取存储器(DRAM)的技术文档中。

  2. 时序阶段分解

    一个完整的存取周期通常包含以下子阶段:

    • 地址建立时间(Address Setup):地址信号稳定至读写命令发出的时间。
    • 读写脉冲宽度(Read/Write Pulse):执行数据读取或写入的持续时间。
    • 数据输出延迟(Output Delay):读取时数据从存储单元传输至总线的延迟。
    • 预充电时间(Precharge):DRAM中为下一次操作重置存储单元状态的时间。

二、与相关术语的区分

示例对比:

某DRAM芯片的存取时间(Access Time)为 50ns,但因需要预充电,其存取周期(Cycle Time)可能达 70ns。这意味着即使数据已就绪(50ns),仍需等待额外 20ns 才能启动下一次操作。


三、实际应用与性能影响

存取周期直接决定存储器的最大操作频率。例如:


四、权威参考来源

  1. 《计算机组成与设计:硬件/软件接口》(David A. Patterson, John L. Hennessy)

    定义存储器时序参数,强调存取周期对系统性能的瓶颈效应。

    查看书籍详情(MIT Press)

  2. IEEE标准术语库(IEEE Std 100)

    明确区分 "Access Time" 与 "Cycle Time",规范工程术语使用。

    IEEE标准在线访问

  3. 美光科技(Micron)DRAM技术文档

    以实际芯片(如 DDR4 SDRAM)为例,说明存取周期的测量方法及时序约束。

    美光DRAM产品技术手册


五、汉英对照关键术语

中文 英文 定义简述
存取周期 Access Cycle 连续两次存储器操作的最小时间间隔
存取时间 Access Time 从操作启动到数据就绪的时间
预充电 Precharge DRAM存储单元重置为待机状态的过程
时序参数 Timing Parameters 规定存储器操作时间边界的指标

通过上述分解,可系统理解"存取周期"在数字系统设计中的核心作用及其与相关概念的逻辑关联。

网络扩展解释

存取周期(Store Access Cycle)是计算机存储器领域的重要概念,主要用于衡量存储器的性能。以下是详细解释:

1.基本定义

存取周期指存储器连续启动两次独立的“读”或“写”操作所需的最短时间间隔。例如,完成一次读操作后,必须等待一段时间才能进行下一次读或写操作,这段等待时间即为存取周期。

2.与访问时间的区别

3.技术特性

4.常见误区

5.实际意义

存取周期是衡量存储器性能的核心指标,直接影响计算机系统的运行速度。较短的存取周期意味着更高的数据吞吐效率。

如需进一步了解存储器的读写机制或具体技术参数,可参考计算机组成原理相关教材或权威百科(如、5)。

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