存儲器周期英文解釋翻譯、存儲器周期的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 storage cycle

分詞翻譯：

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

周期的英語翻譯：

cycle; period; wheel
【計】 C; cycle time; loop cycle; periods
【化】 period
【醫】 cycle
【經】 cycle; period

專業解析

存儲器周期（Memory Cycle）是計算機體系結構中的核心概念，指存儲器完成一次完整數據操作所需的時間序列，包含地址建立、數據存取和狀态恢複三個階段。其英文對應術語為"Memory Cycle"，常見于動态隨機存取存儲器（DRAM）等易失性存儲器的技術規範。

在技術實現層面，存儲器周期可拆解為：

地址建立時間（t_AS）：CPU發送地址信號到存儲器識别地址的延遲
存取時間（t_AA）：從地址确認到數據輸出/寫入的持續時間
預充電時間（t_RP）：DRAM存儲單元電荷刷新所需的恢複間隔

根據《計算機組成與設計：硬件/軟件接口》中的技術說明，完整的存儲器周期時間計算公式為： $$ T{cycle} = t{RC} = t{RAS} + t{RP} $$ 其中t_RAS表示行地址選通時間，t_RP為預充電時間。該公式在JEDEC固态技術協會的DDR4标準文檔中有明确規範，適用于現代同步動态存儲器的時序設計。

存儲器周期直接影響系統性能參數，如：

内存帶寬計算：帶寬=總線寬度×時鐘頻率/周期數
緩存命中率優化
實時系統的時間确定性保障

美國斯坦福大學計算機體系結構實驗室的技術報告指出，通過交錯存儲體訪問和流水線技術，可有效隱藏存儲器周期延遲，該原理已應用于GDDR6顯存設計。在實際工程中，設計者需參照廠商提供的數據手冊，如美光科技公布的DDR5時序參數表，确保信號完整性滿足周期時序約束。

網絡擴展解釋

存儲器周期（Memory Cycle）是計算機組成原理中的重要概念，指存儲器完成一次完整的讀寫操作所需的時間周期。以下是詳細解釋：

1. 定義與組成

存儲器周期包含兩個關鍵階段：

訪問時間（Access Time）：從CPU發出讀寫請求到數據被正确讀出或寫入的時間。
恢複時間（Recovery Time）：存儲器電路恢複穩定狀态所需的時間，為下一次操作做準備。

完整周期公式可表示為： $$ text{存儲器周期} = text{訪問時間} + text{恢複時間} $$

2. 讀周期 vs 寫周期

讀周期：包括地址譯碼、數據讀取和信號穩定階段，常用于CPU從内存加載數據。
寫周期：除地址譯碼外，還需将數據寫入存儲單元并驗證寫入正确性，通常比讀周期更長。

3. 影響因素

存儲器類型：DRAM因需要刷新操作，周期較長；SRAM無需刷新，周期更短。
技術工藝：制程工藝的提升（如從28nm到7nm）可縮短晶體管響應時間，從而減少周期。
接口協議：DDR4内存通過雙倍數據速率技術，在一個時鐘周期内傳輸兩次數據，等效縮短有效周期。

4. 典型參數

DRAM：周期約10-60納秒（如DDR4-3200的周期約0.625ns，但包含多個内部操作階段）
SRAM：周期可短至1-10納秒，常用于高速緩存
NAND閃存：寫周期約100-200微秒（比DRAM慢千倍），擦除周期更長達數毫秒

5. 系統影響

較短的存儲器周期能提升：

内存帶寬（Bandwidth）：單位時間數據傳輸量
系統吞吐量（Throughput）
實時任務響應速度

實際應用中，存儲器周期需與CPU時鐘周期匹配。現代計算機通過多級緩存、預取技術和流水線操作來緩解存儲器周期帶來的性能瓶頸。