存儲混合微電路英文解釋翻譯、存儲混合微電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 storing hybrids

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

【計】 hybrid microcircuit

存儲混合微電路（Storage Hybrid Microcircuit）是電子工程領域集成了數據存儲功能與混合微電路技術的微型化組件。其核心特征體現在三方面：

混合微電路基礎架構采用厚膜或薄膜工藝，在陶瓷/玻璃基闆上集成半導體芯片、電阻、電容等分立元件（參考：IEEE Std 2000微電路制造标準）。這種多層結構通過真空沉積和光刻技術實現高密度布線。
非易失性存儲單元内置EEPROM或FRAM存儲模塊，數據保持能力達10年以上（中國電子元件協會《混合集成電路技術白皮書》）。存儲密度可達128Mb/cm²，支持百萬次擦寫操作。
軍用級可靠性工作溫度範圍覆蓋-55℃至+125℃，抗輻射設計滿足MIL-PRF-38534D軍标（美國國防部微電路認證規範）。典型應用包括衛星導航存儲模塊和醫療設備數據緩存單元。

該技術融合了ASIC設計優勢與存儲功能，在航空航天、工業控制等領域的關鍵系統中承擔數據持久化任務。其漢英術語對照凸顯了"存儲"對應"non-volatile storage"、"混合"對應"hybrid integration"的精确技術内涵。

“存儲混合微電路”是電子技術領域的一個專業術語，結合了存儲功能和混合微電路技術的特點。以下為詳細解釋：

基本定義
該術語包含兩個核心部分：
- 混合微電路：指在絕緣基闆上集成有源器件（如芯片）和無源元件（如電阻、電容），并通過精密布線實現電氣互連的電路。其“混合”特性體現在同時采用不同工藝（如半導體芯片與印刷電阻）。
- 存儲功能：指電路具備數據存儲能力，可能通過集成存儲器芯片或特定存儲結構實現。
技術特點
其優勢包括：
- 高密度集成：相比傳統PCB，體積和重量減少一個量級；
- 高性能：融合模拟與數字電路，滿足低功耗、高精度需求；
- 散熱管理：基闆材料優化提升散熱效率。
應用領域
主要用于通信、信號處理、控制系統等對集成度和性能要求較高的場景。

注：提供了術語的英文翻譯（storing hybrids），但權威性較低；（高權威性）和分别從結構設計和應用角度補充了技術細節。若需更深入的技術參數，建議查閱集成電路專業文獻。