
【计】 storing hybrids
memory; storage
【计】 MU; storager
【经】 storage; store
【计】 hybrid microcircuit
存储混合微电路(Storage Hybrid Microcircuit)是电子工程领域集成了数据存储功能与混合微电路技术的微型化组件。其核心特征体现在三方面:
混合微电路基础架构 采用厚膜或薄膜工艺,在陶瓷/玻璃基板上集成半导体芯片、电阻、电容等分立元件(参考:IEEE Std 2000微电路制造标准)。这种多层结构通过真空沉积和光刻技术实现高密度布线。
非易失性存储单元 内置EEPROM或FRAM存储模块,数据保持能力达10年以上(中国电子元件协会《混合集成电路技术白皮书》)。存储密度可达128Mb/cm²,支持百万次擦写操作。
军用级可靠性 工作温度范围覆盖-55℃至+125℃,抗辐射设计满足MIL-PRF-38534D军标(美国国防部微电路认证规范)。典型应用包括卫星导航存储模块和医疗设备数据缓存单元。
该技术融合了ASIC设计优势与存储功能,在航空航天、工业控制等领域的关键系统中承担数据持久化任务。其汉英术语对照凸显了"存储"对应"non-volatile storage"、"混合"对应"hybrid integration"的精确技术内涵。
“存储混合微电路”是电子技术领域的一个专业术语,结合了存储功能和混合微电路技术的特点。以下为详细解释:
基本定义
该术语包含两个核心部分:
技术特点
其优势包括:
应用领域
主要用于通信、信号处理、控制系统等对集成度和性能要求较高的场景。
注:提供了术语的英文翻译(storing hybrids),但权威性较低;(高权威性)和分别从结构设计和应用角度补充了技术细节。若需更深入的技术参数,建议查阅集成电路专业文献。
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