存儲電容英文解釋翻譯、存儲電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory capacitor

分詞翻譯：

存儲的英語翻譯：

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

在電子工程領域，“存儲電容”（Storage Capacitance）指電容器或具有電容特性的結構（如MOSFET栅極）儲存電荷的能力，是衡量其電荷存儲效能的關鍵參數。以下是詳細解釋：

一、核心定義

物理本質
存儲電容 ( C ) 定義為電荷量 ( Q ) 與電壓 ( V ) 的比值：

$$ C = frac{Q}{V} $$

單位為法拉（F）。電容值越大，在相同電壓下可存儲的電荷越多。
在半導體器件中的體現
例如MOSFET的栅極電容（Gate Capacitance）由栅氧層電容（( C{ox} )）構成，其值直接影響晶體管的開關速度與功耗。公式為：

$$ C{ox} = frac{varepsilon{ox}}{t{ox}} $$

其中 ( varepsilon{ox} ) 為氧化層介電常數，( t{ox} ) 為氧化層厚度。

二、技術應用場景

動态隨機存儲器（DRAM）
存儲電容是DRAM單元的核心組件，通過電容的電荷狀态（充滿/放空）表示二進制數據“1”或“0”。電容值需足夠大以确保數據在刷新周期内保持穩定。
采樣保持電路（Sample-and-Hold）
利用電容臨時存儲模拟信號電壓，為ADC轉換提供穩定輸入。電容值的選擇需平衡采樣精度與響應速度。
電源去耦（Decoupling）
芯片電源引腳旁的儲能電容可抑制電壓波動，為瞬态電流提供局部電荷源，提升系統穩定性。

三、關鍵影響因素

介電材料：高介電常數（high-κ）材料可提升單位面積電容值，例如HfO₂替代傳統SiO₂。
物理結構：DRAM中采用深槽電容（Trench Capacitor）或堆疊電容（Stacked Capacitor）以增大有效面積。
頻率特性：高頻下電容等效串聯電阻（ESR）和電感（ESL）會降低有效儲能能力。

四、權威定義參考

《電子科學技術名詞》（第三版）
定義“存儲電容”為“在動态存儲器等器件中，用于暫存信息的電容元件”。

（來源：科學出版社，ISBN 978-7-03-065487-2）
IEEE标準術語（IEEE Std 100）
将“capacitance”描述為“導體系統在給定電壓下儲存電荷的特性”。

（來源：IEEE Xplore, DOI: 10.1109/IEEESTD.2000.322230）
半導體器件經典教材
《Microelectronic Circuits》（Sedra/Smith）詳細分析MOS電容的存儲機制與電路模型。

（來源：Oxford University Press, Chapter 3）

五、中英術語對照

中文術語	英文術語
存儲電容	Storage Capacitance
電荷存儲能力	Charge Storage Capability
栅極電容	Gate Capacitance
刷新周期	Refresh Cycle
介電常數	Dielectric Constant

網絡擴展解釋

“存儲電容”通常指電容器（capacitor）儲存電荷的能力，或直接代指電容器本身。以下是綜合解釋：

一、基本定義

電容（Capacitance）是衡量電容器儲存電荷能力的物理量，定義為電荷量（Q）與電壓（V）的比值，公式為： $$ C = frac{Q}{V} $$ 單位為法拉（F）。

二、核心原理

結構：由兩個導體極闆及中間絕緣介質構成。當外加電壓時，極闆分别積累等量異種電荷，形成電場儲存電能。
儲能特性：電容值越大，相同電壓下儲存的電荷越多。例如，1F電容在1V電壓下可儲存1庫侖電荷。

三、實際應用

電容器在電路中主要發揮以下作用：

能量存儲：如相機閃光燈、備用電源等短時供電場景。
濾波與穩壓：消除電路中的電壓波動，常見于電源模塊。
信號耦合/隔直：允許交流信號通過，阻斷直流分量。

四、常見類型

電解電容：大容量，用于電源濾波。
陶瓷電容：高頻特性好，適用于信號電路。
钽電容：穩定性高，用于精密設備。

五、補充說明

“存儲電容”一詞在工程中可能指代電容器本身（如“安裝存儲電容”），但本質上描述的是其電荷儲存功能。實際應用中需注意電容的耐壓值、容量誤差等參數選擇。