
【计】 memory capacitor
在电子工程领域,“存储电容”(Storage Capacitance)指电容器或具有电容特性的结构(如MOSFET栅极)储存电荷的能力,是衡量其电荷存储效能的关键参数。以下是详细解释:
物理本质
存储电容 ( C ) 定义为电荷量 ( Q ) 与电压 ( V ) 的比值:
$$ C = frac{Q}{V} $$
单位为法拉(F)。电容值越大,在相同电压下可存储的电荷越多。
在半导体器件中的体现
例如MOSFET的栅极电容(Gate Capacitance)由栅氧层电容(( C{ox} ))构成,其值直接影响晶体管的开关速度与功耗。公式为:
$$ C{ox} = frac{varepsilon{ox}}{t{ox}} $$
其中 ( varepsilon{ox} ) 为氧化层介电常数,( t{ox} ) 为氧化层厚度。
动态随机存储器(DRAM)
存储电容是DRAM单元的核心组件,通过电容的电荷状态(充满/放空)表示二进制数据“1”或“0”。电容值需足够大以确保数据在刷新周期内保持稳定。
采样保持电路(Sample-and-Hold)
利用电容临时存储模拟信号电压,为ADC转换提供稳定输入。电容值的选择需平衡采样精度与响应速度。
电源去耦(Decoupling)
芯片电源引脚旁的储能电容可抑制电压波动,为瞬态电流提供局部电荷源,提升系统稳定性。
《电子科学技术名词》(第三版)
定义“存储电容”为“在动态存储器等器件中,用于暂存信息的电容元件”。
(来源:科学出版社,ISBN 978-7-03-065487-2)
IEEE标准术语(IEEE Std 100)
将“capacitance”描述为“导体系统在给定电压下储存电荷的特性”。
(来源:IEEE Xplore, DOI: 10.1109/IEEESTD.2000.322230)
半导体器件经典教材
《Microelectronic Circuits》(Sedra/Smith)详细分析MOS电容的存储机制与电路模型。
(来源:Oxford University Press, Chapter 3)
中文术语 | 英文术语 |
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存储电容 | Storage Capacitance |
电荷存储能力 | Charge Storage Capability |
栅极电容 | Gate Capacitance |
刷新周期 | Refresh Cycle |
介电常数 | Dielectric Constant |
“存储电容”通常指电容器(capacitor)储存电荷的能力,或直接代指电容器本身。以下是综合解释:
电容(Capacitance)是衡量电容器储存电荷能力的物理量,定义为电荷量(Q)与电压(V)的比值,公式为: $$ C = frac{Q}{V} $$ 单位为法拉(F)。
电容器在电路中主要发挥以下作用:
“存储电容”一词在工程中可能指代电容器本身(如“安装存储电容”),但本质上描述的是其电荷储存功能。实际应用中需注意电容的耐压值、容量误差等参数选择。
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