
【計】 bubble memory; magnetic bubble storage
【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble
storage; store
【計】 M; memorizer; S
磁泡存儲器(Magnetic Bubble Memory, MBM)是一種利用磁性材料中特定形态的磁疇(即“磁泡”)來存儲數據的非易失性存儲器技術。以下是其詳細解釋:
一、核心概念
磁泡定義
在特定磁性薄膜(如石榴石薄片)中,通過外加垂直磁場,可形成直徑約1-100微米的圓柱形磁疇。這些磁疇的磁化方向與周圍區域相反,在顯微鏡下呈現為可移動的“氣泡”狀結構,故稱“磁泡”。每個磁泡代表一個二進制數據位(通常“有泡”=1,“無泡”=0)。
工作原理
磁泡在外加控制磁場作用下,沿預設的磁性通道(如T形、Y形坡莫合金元件)定向移動。通過改變相鄰磁泡的位置實現數據的寫入、讀取和擦除。讀取時,磁泡經過磁阻檢測器産生電信號;寫入則通過局部磁場改變磁疇狀态。
二、技術特性與曆史背景
三、漢英術語對照
中文術語 | 英文術語 | 說明 |
---|---|---|
磁泡存儲器 | Magnetic Bubble Memory | 技術全稱,縮寫為MBM |
磁泡 | Magnetic Bubble/Domain | 存儲單元物理形态 |
磁疇 | Magnetic Domain | 材料内自發磁化區域 |
石榴石薄膜 | Garnet Film | 常用钆镓石榴石(Gd₃Ga₅O₁₂)基闆 |
權威參考來源(基于技術文獻與曆史資料):
建議通過IEEE Xplore或學術數據庫獲取原始文獻以驗證技術細節。
磁泡存儲器是一種基于磁性材料特殊物理特性的計算機存儲技術,其核心原理是通過控制磁性薄膜中的微小磁化區域(即“磁泡”)來實現信息存儲。以下是詳細解釋:
磁泡形成
在鈣钛石型正鐵氧體或非晶态磁性材料制成的薄膜中,施加垂直磁場時,會形成直徑幾微米到幾十微米的圓柱形磁化區域,稱為磁泡。
公式表示為:
$$
text{磁泡} = text{垂直磁場} + text{磁性薄膜材料}
$$
信息操作
通過外部水平磁場控制磁泡的移動、分裂、消失等行為,完成數據的寫入、讀取和擦除。
如需進一步了解技術細節,可參考知網空間及道客巴巴的文獻資料。
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