
【计】 bubble memory; magnetic bubble storage
【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble
storage; store
【计】 M; memorizer; S
磁泡存储器(Magnetic Bubble Memory, MBM)是一种利用磁性材料中特定形态的磁畴(即“磁泡”)来存储数据的非易失性存储器技术。以下是其详细解释:
一、核心概念
磁泡定义
在特定磁性薄膜(如石榴石薄片)中,通过外加垂直磁场,可形成直径约1-100微米的圆柱形磁畴。这些磁畴的磁化方向与周围区域相反,在显微镜下呈现为可移动的“气泡”状结构,故称“磁泡”。每个磁泡代表一个二进制数据位(通常“有泡”=1,“无泡”=0)。
工作原理
磁泡在外加控制磁场作用下,沿预设的磁性通道(如T形、Y形坡莫合金元件)定向移动。通过改变相邻磁泡的位置实现数据的写入、读取和擦除。读取时,磁泡经过磁阻检测器产生电信号;写入则通过局部磁场改变磁畴状态。
二、技术特性与历史背景
三、汉英术语对照
中文术语 | 英文术语 | 说明 |
---|---|---|
磁泡存储器 | Magnetic Bubble Memory | 技术全称,缩写为MBM |
磁泡 | Magnetic Bubble/Domain | 存储单元物理形态 |
磁畴 | Magnetic Domain | 材料内自发磁化区域 |
石榴石薄膜 | Garnet Film | 常用钆镓石榴石(Gd₃Ga₅O₁₂)基板 |
权威参考来源(基于技术文献与历史资料):
建议通过IEEE Xplore或学术数据库获取原始文献以验证技术细节。
磁泡存储器是一种基于磁性材料特殊物理特性的计算机存储技术,其核心原理是通过控制磁性薄膜中的微小磁化区域(即“磁泡”)来实现信息存储。以下是详细解释:
磁泡形成
在钙钛石型正铁氧体或非晶态磁性材料制成的薄膜中,施加垂直磁场时,会形成直径几微米到几十微米的圆柱形磁化区域,称为磁泡。
公式表示为:
$$
text{磁泡} = text{垂直磁场} + text{磁性薄膜材料}
$$
信息操作
通过外部水平磁场控制磁泡的移动、分裂、消失等行为,完成数据的写入、读取和擦除。
如需进一步了解技术细节,可参考知网空间及道客巴巴的文献资料。
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