二次電子傳導英文解釋翻譯、二次電子傳導的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 secondary electron conduction

分詞翻譯：

二的英語翻譯：

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

次的英語翻譯：

order; second; second-rate
【醫】 deutero-; deuto-; hyp-; hypo-; meta-; sub-

電子傳導的英語翻譯：

【電】 electronic conduction

專業解析

二次電子傳導（Secondary Electron Conduction, SEC）是指材料表面受到高能粒子（如電子或離子）轟擊時，激發出能量較低的二次電子，這些電子在材料内部或表面形成定向移動的電流傳導現象。該效應是電子發射物理學中的重要機制，廣泛應用于電子倍增器、光電倍增管、掃描電子顯微鏡等設備中。其核心過程包含三個環節：

一、術語定義與物理機制

二次電子産生
當高能一次電子（Primary Electrons）撞擊材料表面時，其部分能量轉移給材料内的束縛電子。若獲得足夠能量（通常需高于材料功函數），束縛電子可脫離原子束縛成為二次電子（Secondary Electrons）。其能量分布通常在0–50 eV範圍内，峰值約2–5 eV 。
傳導過程
二次電子在材料内部電場或外部電場驅動下定向遷移，形成電流。在半導體或絕緣體中，傳導依賴于材料的能帶結構；在真空中，則需外加電場引導電子運動至收集極。

二、核心特性與影響因素

二次電子産額（δ）：定義為單個一次電子激發的二次電子數量，是衡量傳導效率的關鍵參數。δ值受材料性質（如功函數、晶體結構）、一次電子能量及入射角度共同影響。金屬的δ值通常小于2，而半導體（如GaP）可達10以上。
雪崩效應：在電子倍增器件中，二次電子經多級電場加速後反複撞擊電極，引發鍊式倍增，實現電流放大（增益可達10⁶倍）。

三、典型應用場景

光電倍增管（PMT）
光子通過光電陰極轉化為一次電子，經多級二次電子發射倍增後輸出強電流信號，用于極弱光探測。

掃描電子顯微鏡（SEM）
二次電子被探測器收集，其強度反映樣品表面形貌，分辨率可達納米級。

粒子探測器
高能粒子激發介質産生二次電子，通過傳導電流實現粒子能量與軌迹測量。

四、技術挑戰與發展

材料缺陷（如表面污染）會降低δ值并增加噪聲。近年研究聚焦于新型納米結構（如氧化鎂薄膜、金剛石塗層）以提升産額與穩定性。真空環境維持、電場均勻性設計及熱噪聲抑制仍是工程優化的重點方向。

參考資料（權威來源示例）：

（注：以上鍊接為示例格式，實際引用需替換為真實有效的學術文獻DOI鍊接）

網絡擴展解釋

二次電子傳導是指當高能粒子（如電子、離子或光子）撞擊材料表面時，激發出的低能電子（即二次電子）在材料内部或表面的傳輸過程。這一現象涉及以下關鍵點：

1.二次電子的産生

當高能初級電子束轟擊材料表面時，會與材料中的原子相互作用，導緻外層電子被激發并脫離原子束縛，形成能量較低（通常為2-50 eV）的二次電子。這種激發過程主要依賴于入射粒子的能量、材料特性（如功函數、導電性）和表面形貌。

2.傳導機制

電場引導：在多數應用場景（如掃描電子顯微鏡SEM），樣品表面會施加微弱電場，引導二次電子向探測器運動，形成信號。
材料導電性：導電材料（如金屬）中，二次電子可快速被導走；而絕緣材料可能因電荷積累幹擾傳導，需通過鍍導電層（如金、碳）改善。
表面形貌影響：粗糙表面可能增強二次電子的逸出概率，影響信號強度和成像對比度。

3.技術應用

電子顯微鏡（SEM）：通過收集二次電子生成樣品表面高分辨率形貌圖像。
光電倍增管：利用二次電子倍增效應放大微弱光信號。
輻射探測器：監測高能粒子與材料作用産生的二次電子，用于粒子能量和通量測量。

4.挑戰與限制

電荷積累：絕緣材料表面易因二次電子傳導不暢導緻電荷堆積，需通過鍍膜或低真空模式緩解。
信號噪聲比：二次電子産額受入射角度、材料成分等因素影響，需優化實驗條件（如加速電壓、探測器位置）。

二次電子傳導是材料科學、電子工程和顯微技術中的核心物理過程，其效率直接影響成像質量、探測器靈敏度等。理解其機制有助于優化材料設計（如半導體器件抗輻射性）和儀器性能（如顯微鏡分辨率）。