多晶鍺英文解釋翻譯、多晶鍺的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 polycrystalline germainium

【化】 polycrystal
【醫】 heteromorphism

germanium
【化】 germanium
【醫】 Ge; germanium

多晶鍺（polycrystalline germanium）是由多個微小單晶鍺顆粒無序排列組成的半導體材料，其晶體尺寸通常在微米至毫米量級。該材料在電子器件制造中具有重要作用，其能隙特性（約0.67 eV，300K）使其適用于紅外光學元件和輻射探測器制造。

從微觀結構分析，多晶鍺的晶界結構會顯著影響載流子遷移率。美國國家标準技術研究院（NIST）的研究數據顯示，其電子遷移率約為單晶鍺的60-80%，空穴遷移率約為70-85%。這種特性使其在薄膜晶體管和低成本太陽能電池領域具有應用價值。

材料科學手冊指出，多晶鍺的制備主要采用化學氣相沉積法（CVD），典型沉積溫度範圍為350-550℃。國際半導體技術路線圖（ITRS）特别強調其在柔性電子基闆中的潛在應用。相較于單晶鍺，多晶材料雖然電學性能略低，但具有更低的生産成本和更好的機械穩定性。

多晶鍺是由多個小晶體（晶粒）組成的鍺材料，其晶體結構呈現多取向排列，與單晶鍺的單一晶體結構形成對比。以下是其核心特點的

結構特性
多晶鍺内部包含許多晶粒，每個晶粒的原子排列方向不同，晶粒之間存在邊界。這種結構導緻其折射率不均勻性較高（約0.0001~0.00015），而單晶鍺的不均勻性更低（0.00005~0.0001）。這種差異主要源于多晶鍺晶界處的雜質聚集。
制備與成本
多晶鍺通常通過區熔提純法獲得，是制備單晶鍺的中間産物。單晶鍺需通過“拉單晶”工藝進一步加工，因此成本更高。
應用場景
雖然多晶鍺的光學均勻性略遜于單晶鍺，但鍍增透膜後透過率仍可達98%以上，常用于紅外光學領域。而單晶鍺因性能更優，更多用于半導體器件制造。

多晶鍺是成本較低、結構複雜的鍺材料形态，適用于對均勻性要求相對寬松的場景。