多晶矽英文解釋翻譯、多晶矽的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 polycrystalline silicon; polysilicon
【化】 polycrystalline silicon

分詞翻譯：

多晶的英語翻譯：

【化】 polycrystal
【醫】 heteromorphism

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

專業解析

多晶矽（polycrystalline silicon）是由衆多微小單晶矽顆粒無序排列組成的半導體材料，其晶體尺寸通常在納米至微米級。作為光伏和微電子産業的核心原料，多晶矽的純度直接影響最終産品性能，工業級産品純度需達到99.9999%（6N）以上。

材料特性包含三個關鍵維度：①晶界密度介于10⁴-10⁶ cm⁻²，導緻載流子遷移率較單晶矽低約30%；②帶隙寬度1.12eV（室溫條件下），可通過摻雜調節導電類型；③典型電阻率範圍10⁻³-10³ Ω·cm，隨雜質濃度呈指數變化。美國材料試驗協會标準ASTM F1724-17規定，太陽能級多晶矽需滿足金屬雜質總量小于1ppm的質量要求。

國際半導體技術路線圖（ITRS）數據顯示，全球90%光伏組件采用定向凝固法制備的多晶矽片。在集成電路領域，化學氣相沉積（CVD）法制備的多晶矽薄膜廣泛應用于MOSFET栅極和互連層，其沉積速率與反應室溫度遵循Arrhenius方程： $$ k = A cdot e^{-frac{E_a}{RT}} $$ 其中A為指前因子，E_a為活化能（約1.6eV）。

網絡擴展解釋

多晶矽是單質矽的一種形态，由多個小晶體組成，具有獨特的物理和化學性質，廣泛應用于多個工業領域。以下是綜合多晶矽的定義、特性、制備及用途的詳細解釋：

一、定義與形成

多晶矽是熔融的單質矽在過冷條件下凝固形成的晶體結構。矽原子以金剛石晶格形态排列成多個晶核，當這些晶核的晶面取向不同時，晶粒結合形成多晶矽。其外觀呈灰色金屬光澤，密度為2.32~2.34 g/cm³，熔點和沸點分别為1410℃和2355℃。

二、物理與化學性質

物理性質：常溫下易碎裂，高溫時化學活性顯著增強，幾乎能與所有材料反應。
導電性：導電性遠弱于單晶矽，甚至接近絕緣體；但具有半導體特性，微量雜質會大幅影響其導電性能。

三、制備方法

主要通過冶金級矽粉化學提純或氣相沉積法生産。按純度分為兩類：

太陽能級多晶矽：純度較低，用于光伏産業；
電子級多晶矽：純度極高，用于半導體制造。

四、主要用途

半導體工業
作為晶圓平整化層、掩模層等關鍵材料，支撐人工智能、自動控制等微電子器件，被稱為“微電子大廈的基石”。
光伏産業
用于制造太陽能電池，市場占比超90%。其導電性雖弱于單晶矽，但成本較低，適合大規模應用。
其他領域
包括電子元件封裝、化學品生産等。

五、補充說明

多晶矽與單晶矽的差異主要體現在各向異性（如力學、光學性質）和導電性方面。隨着新能源和半導體技術的發展，多晶矽的需求持續增長。