多層互連圖案英文解釋翻譯、多層互連圖案的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 multilayer interconnection pattern

分詞翻譯：

多層的英語翻譯：

【計】 multilayer
【化】 multilayer

互連的英語翻譯：

【計】 IC; interconnection; interlinkage; interlinking

圖案的英語翻譯：

design; pattern
【計】 graphic pattern; pattern

專業解析

在電子工程領域，"多層互連圖案"（Multilevel Interconnection Pattern）指集成電路中通過堆疊多層金屬導線和介質層形成的三維布線結構，用于實現晶體管之間的電氣連接。其核心構成與功能如下：

一、術語定義與技術原理

1. 結構分層性

   由交替堆疊的金屬層（如銅或鋁）和絕緣介質層（如SiO₂或低k介質）構成。每層通過光刻和蝕刻工藝形成特定幾何圖案，層間通過"通孔"（Via）實現垂直互連。該結構解決了二維布線無法滿足高密度集成的瓶頸問題。

2. 核心功能

   承擔信號傳輸、電源分配和接地網絡三大功能。高層金屬通常用于全局電源網絡（寬線寬、低電阻），底層金屬負責局部晶體管互連（高精度、窄線寬）。

二、關鍵技術特征

• 設計約束：需平衡電遷移效應（電流密度限制）、RC延遲（導線電阻與層間電容）、寄生效應對信號完整性的影響。
• 工藝演進：從傳統鋁互連轉向銅互連（Damascene工藝），并引入低k介質材料降低層間電容，提升工作頻率。
• 典型結構：

  graph TD
  A[晶體管層] --> B[Metal 1]
  B --> C[Via 1]
  C --> D[Metal 2]
  D --> E[...]
  E --> F[Top Metal/Pad]

三、應用場景

主要用于超大規模集成電路（VLSI），包括：

1. 微處理器（CPU/GPU）的時鐘網絡布線
2. 存儲器芯片（DRAM/3D NAND）的位線/字線結構
3. 射頻芯片的阻抗匹配傳輸線

四、權威參考文獻

1. 半導體制造技術

   《Semiconductor Manufacturing Technology》 by Michael Quirk, 詳細描述互連工藝演進（pp. 401-428）Springer Link

2. IEEE國際互連技術會議

   2023年關于銅/钴混合互連可靠性的研究 IEEE IITC Proceedings

3. IMEC技術藍圖

   亞3nm節點Ru互連與空氣隙介質集成方案 IMEC Report

該技術是摩爾定律延續的關鍵使能要素，持續推動芯片性能與能效比的提升。

網絡擴展解釋

“多層互連圖案”是一個涉及電子工程和集成電路設計的專業術語，其核心含義可拆解為以下部分：

1. 多層
   指在器件或芯片中通過堆疊多個獨立的功能層（如導電層、絕緣層）形成的立體結構。每一層可能承擔不同的功能，例如信號傳輸、電源分配或接地等。

2. 互連
   表示不同層之間的電氣連接，通常通過“通孔”（Via）或“矽通孔”（TSV）等結構實現垂直方向的導通，使電流或信號能在層間傳輸。

3. 圖案
   指各層上設計的特定幾何圖形布局，例如導線的走向、通孔的位置等。這些圖案需通過光刻、蝕刻等工藝精确制造。

典型應用場景

• 集成電路設計：現代芯片采用數十層金屬互連結構，連接晶體管并優化信號延遲。例如，高層金屬用于全局布線，低層用于局部連接（）。
• PCB（印刷電路闆）：多層PCB通過埋孔、盲孔連接不同層的導電圖案，減少電磁幹擾并提高布線密度。
• 3D封裝技術：通過矽通孔（TSV）垂直堆疊芯片，實現高速、低功耗的互連，常見于高密度存儲器（如HBM）中。

關鍵技術挑戰

• 信號完整性：高頻信號在多層傳輸時需考慮串擾、損耗和阻抗匹配。
• 熱管理：多層結構可能阻礙散熱，需設計散熱通孔或熱沉結構。
• 工藝對準：納米級制程中，不同層圖案的對準精度直接影響良率。

若需更具體的行業标準或工藝細節，建議參考集成電路制造或電子封裝領域的專業文獻。

分類

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