
【化】 crystal field
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant
晶體場(Crystal Field)在固體物理和配位化學中,指中心金屬離子周圍的配體(如陰離子或極性分子)所産生的靜電場。該電場對金屬離子價層d軌道(或f軌道)的電子能級産生微擾,導緻原本簡并的軌道發生能級分裂,這一現象稱為晶體場分裂(Crystal Field Splitting)。
靜電作用模型
晶體場理論将配體視為點電荷或偶極子,忽略其與中心金屬離子的軌道重疊和共價作用,僅考慮純靜電吸引與排斥。配體負電荷靠近金屬離子時,排斥d軌道電子,使其能量升高。不同空間取向的d軌道受排斥程度不同,導緻能級分裂 。
分裂能(Δ)
分裂後最高與最低d軌道能級差稱為分裂能(Δ),單位為cm⁻¹或eV。其大小取決于:
幾何構型的影響
第7章配位場理論,科學出版社. ISBN 978-7-03-050512-6.
晶體場(Crystalline Field)是指由晶體中原子或離子在三維空間周期性排列形成的點陣結構所構成的靜電場。以下是關于該概念的詳細解析:
基本定義
晶體場是中心離子(如過渡金屬離子)周圍的配位離子通過靜電作用形成的非均勻電場。這種場會直接影響中心離子的電子軌道分布。
核心特點
能級分裂(Crystal Field Splitting)
晶體場會使中心離子的簡并軌道(如d軌道或f軌道)發生能級分裂。例如,在八面體場中,d軌道分裂為能量較低的$t_{2g}$軌道和較高的$eg$軌道。
對應的哈密頓量可表示為:
$$
H{CF} = sum_{i} left( frac{e}{4piepsilon0} sum{j} frac{Z_j}{|mathbf{r}_i - mathbf{R}_j|} right)
$$
其中$Z_j$為配位離子電荷,$mathbf{R}_j$為配位離子位置。
磁性與軌道凍結
晶體場理論由Bethe于1929年提出,後經Van Vleck完善并應用于磁學研究。該理論是理解配位化學和固體物理中電子行為的基礎工具之一。
如需更完整的公式推導或實驗案例,可參考(搜狗百科)和(晶體場理論百科)。
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