逆向偏壓英文解釋翻譯、逆向偏壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 backward-bias

converse
【計】 negative direction

【電】 bias; bias voltage

在電子工程領域中，"逆向偏壓"（Reverse Bias）指對半導體器件施加外部電壓時，使P-N結處于反向導通狀态的操作方式。具體表現為：将直流電源的正極連接N型半導體，負極連接P型半導體，此時耗盡層寬度增加，形成高阻抗特性。

該現象的核心機理可通過能帶理論解釋：逆向偏壓作用下，多數載流子（N區的電子與P區的空穴）被電場力驅離結區，導緻載流子濃度低于本征濃度，僅存在由熱激發産生的少量少數載流子形成微小反向電流。此特性被廣泛應用于二極管整流、穩壓管擊穿保護等場景。

根據國際電氣與電子工程師協會（IEEE）标準術語庫定義，逆向偏壓條件下，典型矽二極管的擊穿電壓範圍通常在5-1000V之間，具體數值取決于摻雜濃度和結區結構設計。該參數是功率器件選型時的重要參考指标。

在電路分析中，逆向偏壓狀态滿足以下公式關系： $$ V{reverse} = V{applied} - V{built-in} $$ 其中$V{built-in}$表示P-N結内建電勢，典型矽材料約為0.7V。該公式解釋了外施電壓需克服内建電勢才能形成有效反向偏置的物理本質。

逆向偏壓（Reverse Bias）是指對半導體器件（如二極管、三極管）施加的一種電壓配置方式，其核心特征為電壓方向與器件正常導通方向相反。以下從定義、作用機制及典型應用三方面進行解釋：

逆向偏壓指在半導體器件的PN結兩端施加與内建電場方向相同的電壓。例如，對于二極管：

逆向偏壓通過抑制多數載流子流動，控制半導體器件的導通狀态，廣泛應用于開關電路、信號放大及電壓調節等場景。需注意避免超過器件的反向耐壓值，防止擊穿損壞。