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内光電效應英文解釋翻譯、内光電效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【化】 internal photoelectric effect

分詞翻譯:

内的英語翻譯:

inner; inside; within
【醫】 end-; endo-; ento-; in-; intra-

光電效應的英語翻譯:

photoemission
【化】 photoelectric effect
【醫】 photo-electrical effect

專業解析

内光電效應(Internal Photoelectric Effect)是指半導體材料吸收光子能量後,其内部載流子(電子或空穴)濃度發生變化,從而改變材料電學特性的物理現象。該效應區别于外光電效應(光電子發射),其核心在于光子能量在材料内部直接激發載流子,而非将電子完全打出材料表面。

核心機制與特點:

  1. 光子激發過程

    當入射光子能量((E = h u))大于半導體材料的禁帶寬度((E_g))時,價帶電子吸收光子能量躍遷至導帶,形成電子-空穴對,導緻材料電導率升高(光電導效應)或産生光生電動勢(光伏效應)。

  2. 能量阈值條件

    内光電效應的發生需滿足 (h u geq E_g),其中 (h) 為普朗克常數,( u) 為光頻率。此條件決定了材料的臨界響應波長((lambda_c = frac{hc}{E_g}))。

  3. 典型應用器件

    • 光電導器件:如光敏電阻(CdS、PbS等),光照下電阻顯著降低。
    • 光伏器件:如太陽能電池(Si、GaAs等),利用PN結内建電場分離光生載流子産生電壓。
    • 光電二極管/三極管:将光信號轉換為電信號放大輸出。

漢英術語對照:

中文術語 英文術語
内光電效應 Internal Photoelectric Effect
光電導效應 Photoconductive Effect
光伏效應 Photovoltaic Effect
禁帶寬度 Bandgap Energy ((E_g))
電子-空穴對 Electron-Hole Pair

權威參考文獻:

  1. 《半導體物理學》(劉恩科等,電子工業出版社)

    系統闡述内光電效應的量子力學基礎及載流子動力學模型(第7章)。

  2. 《光電技術基礎》(缪家鼎,浙江大學出版社)

    分析光電導與光伏器件的設計原理及特性參數(第3章)。

  3. 美國物理學會(APS)期刊

    Physical Review B 多篇研究論文探讨低維半導體中的内光電效應增強機制。

  4. 國際光學工程學會(SPIE)文庫

    SPIE Digital Library 收錄光電器件量子效率優化的實驗與仿真成果。

注:内光電效應是現代光電子技術的物理基石,其理論由愛因斯坦光量子假說延伸發展,在圖像傳感、能源轉換等領域具有不可替代性。

網絡擴展解釋

内光電效應是光電效應的一種類型,指光照射到半導體或絕緣體材料時,材料内部電子吸收光子能量後發生能級躍遷,導緻材料電學性質改變的現象。與外光電效應(電子逸出材料表面)不同,内光電效應中電子仍在材料内部形成導電載流子。

核心原理

當入射光子的能量($h u$)大于或等于材料的禁帶寬度($E_g$)時,價帶中的電子吸收光子能量躍遷到導帶,形成可導電的電子-空穴對,這一過程改變了材料的電阻率或産生内部電勢差。數學表達式為: $$ h u geq E_g $$

分類與表現

内光電效應主要分為兩類:

  1. 光電導效應
    光照導緻材料電導率顯著增加,如光敏電阻。典型應用包括光探測器、光傳感器等。
  2. 光生伏特效應
    在非均勻半導體(如PN結)中,光照引發内部電勢差,産生電壓,典型器件是太陽能電池和光電二極管。

代表器件

應用領域

在紫外探測器、光通信、自動化控制等領域有重要應用,尤其寬禁帶半導體(如氮化镓)提升了紫外探測器的性能。

分類

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