内光电效应英文解释翻译、内光电效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 internal photoelectric effect

inner; inside; within
【医】 end-; endo-; ento-; in-; intra-

photoemission
【化】 photoelectric effect
【医】 photo-electrical effect

内光电效应（Internal Photoelectric Effect）是指半导体材料吸收光子能量后，其内部载流子（电子或空穴）浓度发生变化，从而改变材料电学特性的物理现象。该效应区别于外光电效应（光电子发射），其核心在于光子能量在材料内部直接激发载流子，而非将电子完全打出材料表面。

光子激发过程
当入射光子能量（(E = h u)）大于半导体材料的禁带宽度（(E_g)）时，价带电子吸收光子能量跃迁至导带，形成电子-空穴对，导致材料电导率升高（光电导效应）或产生光生电动势（光伏效应）。
能量阈值条件
内光电效应的发生需满足 (h u geq E_g)，其中 (h) 为普朗克常数，( u) 为光频率。此条件决定了材料的临界响应波长（(lambda_c = frac{hc}{E_g})）。
典型应用器件
- 光电导器件：如光敏电阻（CdS、PbS等），光照下电阻显著降低。
- 光伏器件：如太阳能电池（Si、GaAs等），利用PN结内建电场分离光生载流子产生电压。
- 光电二极管/三极管：将光信号转换为电信号放大输出。

中文术语	英文术语
内光电效应	Internal Photoelectric Effect
光电导效应	Photoconductive Effect
光伏效应	Photovoltaic Effect
禁带宽度	Bandgap Energy ((E_g))
电子-空穴对	Electron-Hole Pair

注：内光电效应是现代光电子技术的物理基石，其理论由爱因斯坦光量子假说延伸发展，在图像传感、能源转换等领域具有不可替代性。

内光电效应是光电效应的一种类型，指光照射到半导体或绝缘体材料时，材料内部电子吸收光子能量后发生能级跃迁，导致材料电学性质改变的现象。与外光电效应（电子逸出材料表面）不同，内光电效应中电子仍在材料内部形成导电载流子。

当入射光子的能量（$h u$）大于或等于材料的禁带宽度（$E_g$）时，价带中的电子吸收光子能量跃迁到导带，形成可导电的电子-空穴对，这一过程改变了材料的电阻率或产生内部电势差。数学表达式为： $$ h u geq E_g $$

内光电效应主要分为两类：

在紫外探测器、光通信、自动化控制等领域有重要应用，尤其宽禁带半导体（如氮化镓）提升了紫外探测器的性能。