埋入層英文解釋翻譯、埋入層的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 buried layer

分詞翻譯：

埋入的英語翻譯：

【電】 embedment

層的英語翻譯：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

專業解析

在電子工程與半導體領域，"埋入層"（mái rù céng）指預先制備在半導體襯底内部、被後續外延層或其他結構覆蓋的功能性薄層。其核心作用是優化器件電學性能，如降低電阻、隔離器件或形成特定導電通道。以下是漢英對照解析：

一、中文定義與技術功能

埋入層

指通過離子注入、擴散或沉積工藝，在半導體基片（如矽晶圓）内部形成的摻雜區域或介質層。該層被後續生長的外延層完全覆蓋，成為器件結構的"隱藏"部分。主要應用于：

1. 降低集電極電阻：在雙極晶體管中，埋入層（如N⁺層）減小縱向電阻，提升高頻特性 。
2. 器件隔離：在集成電路中，埋層（如SiO₂）實現相鄰元件電學隔離，防止信號串擾 。
3. 優化載流子傳輸：在功率器件中調整電場分布，增強擊穿電壓。

來源：

《微電子學名詞》（科學出版社）定義編號 04.012；

中國半導體行業協會技術報告《集成電路制造工藝術語》。

二、英文對應術語與釋義

Buried Layer (常用) /Embedded Layer

A thin, intentionally formed region within a semiconductor substrate, typically created by dopant implantation or epitaxial growth, serving as:

• Current path optimizer: e.g., N⁺ buried layer in BJTs reduces collector resistance (IEEE Xplore, DOI:10.1109/T-ED.1985.22072).
• Isolation structure: e.g., Buried oxide (BOX) layer in SOI wafers eliminates parasitic leakage (Applied Physics Letters, Vol. 83, Issue 12).

技術差異說明：

• Buried Layer 強調"被覆蓋的埋藏性"，多指摻雜層；
• Embedded Layer 涵蓋更廣，包括介質埋層（如SiC埋入Si基）。

三、典型應用場景

1. 雙極集成電路：

   N⁺埋層降低PNP晶體管飽和壓降，見于模拟IC芯片 。

2. SOI（絕緣體上矽）技術：

   埋氧層（Buried Oxide）隔離晶體管與襯底，減少寄生電容（SEMI标準 MS3-0217）。

3. MEMS傳感器：

   埋入多晶矽層作為應力緩沖結構，提升器件可靠性 。

權威參考文獻

1. 中文标準：

   全國科學技術名詞審定委員會《微電子學名詞》（定義04.012）。

2. 英文手冊：

   S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology (Wiley), Chapter 5 "Bipolar Transistors".

3. 行業白皮書：

   SEMI《半導體晶圓制造術語指南》 (術語代碼 EPI-3)。

網絡擴展解釋

"埋入層"的英文翻譯為"buried layer"（），屬于電學領域的專業術語。以下是詳細解釋：

1. 基本定義
   指通過特殊工藝嵌入基底材料内部的半導體結構層，常見于集成電路制造。這類層狀結構通常位于晶圓表面以下，通過離子注入或外延生長等技術形成。

2. 功能特性
   主要用于改善器件性能，例如：降低電阻、增強隔離效果或優化載流子傳輸。在雙極型晶體管中，埋入層可減少集電極串聯電阻（）。

3. 技術實現
   需通過高溫擴散、化學氣相沉積等高精度工藝完成，層厚一般在微米甚至納米級别，對材料純度和工藝穩定性要求極高。

由于當前搜索結果權威性較低，建議結合IEEE Xplore等專業數據庫或《半導體器件物理》類教材獲取更詳細的技術參數與應用案例。

分類

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